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J-GLOBAL ID：202102277829192475   整理番号：21A0219740

プラズマ支援反応性プロセスによるアモルファスInGaZnO_x薄膜形成

Amorphous InGaZnO_x thin film formation by a plasma-assisted reactive process.

著者 (4件)： 竹中弘祐 (大阪大 接合科研) ,  内田儀一郎 (名城大 理工) ,  江部明憲 (イー・エム・ディー) ,  節原裕一 (大阪大 接合科研)
資料名： 応用物理  (JSAP International)
巻： 90  号： 1  ページ： 35-39  発行年： 2021年01月10日 
JST資料番号： F0252A  ISSN： 0369-8009  CODEN： OYBSA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： フラットパネルディスプレイの大画面・高精細・高輝度化に向けて,制御駆動素子である薄膜トランジスタ(TFT)の高性能化が喫緊の課題とされている.さらには次世代ディスプレイとして期待されているフレキシブルディスプレイの応用においては,そのTFTのチャネル層材料は低温で形成されることが必須である.これらの材料としては,高移動度を有し低温で形成可能なアモルファスIn-Ga-Zn-O_x(a-IGZO)が有望視されている.本研究では,マグネトロン放電とそれに重畳した誘導結合プラズマをそれぞれ独立に制御し,スパッタ粒子の流束と薄膜の結晶性や組成に影響する反応性粒子の流束を独立に制御可能なプラズマ支援反応性スパッタリングシステムを用いてa-IGZO薄膜を低温形成し,この薄膜を用いたTFT作製および特性評価を行っている.本稿では,高移動度を有するIGZO TFTの低温形成を目指した,プラズマ照射による低温ポストプロセスによるa-IGZO薄膜の高品質化の研究について紹介する.(著者抄録)

シソーラス用語： *プラズマCVD ,  ガリウム化合物 ,  亜鉛化合物 ,  酸化インジウム ,  非晶質 ,  *フラットパネルディスプレイ ,  *薄膜トランジスタ ,  気体放電 ,  誘導結合プラズマ ,  キャラクタリゼーション ,  移動度 ,  低温生成 ,  プラズマ曝露 ,  チャネル ,  マグネトロン放電 ,  高移動度 ,  *酸化インジウム・ガリウム・亜鉛 ,  プラズマ
準シソーラス用語： *IGZO【半導体】 ,  アモルファス ,  *プラズマ支援化学蒸着法 ,  プラズマ照射 ,  *低温形成 ,  特性評価

分類 (2件)： 薄膜成長技術・装置  (BK14020I) ,  表示機器  (NC06030Q)

引用文献 (24件)：

• 1) K. Nomura, H. Ohta, A. Takagi, T. Kamiya, M. Hirano, and H. Hosono: Nature 432, 488 (2004).
• 2) T. Kamiya, K. Nomura, and H. Hosono: Sci. Technol. Adv. Mater. 11, 044305 (2010).
• 3) H. Yabuta, M. Sano, K. Abe, T. Aiba, T. Den, H. Kumomi, K. Nomura, T. Kamiya, and H. Hosono: Appl. Phys. Lett. 89, 112123 (2006).
• 4) Y. Setsuhara, T. Shoji, A. Ebe, S. Baba, N. Yamamoto, K. Takahashi, K. Ono, and S. Miyake: Surf. Coat. Technol. 174-175, 33 (2003).
• 5) Y. Setsuhara: J. Plasma Fusion Res. 81, 85 (2005).

タイトルに関連する用語 (6件)： プラズマ ,  支援 ,  反応性 ,  プロセス ,  アモルファス ,  薄膜形成