化学溶液析出法によるZnOナノロッド/CuOおよびZnOナノロッド/Cu<sub>2</sub>Oヘテロ接合の作製

大本拓馬; 寺迫智昭; 矢木正和

文献

J-GLOBAL ID：202102279029419582 整理番号：21A1489906

化学溶液析出法によるZnOナノロッド/CuOおよびZnOナノロッド/Cu₂Oヘテロ接合の作製

Fabrication of ZnO nanorods/CuO and ZnO nanorods/Cu₂O heterojunctions by Chemical Bath Deposition

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資料名：
巻： 120 号： 408(CPM2020 55-77) ページ： 34-37 (WEB ONLY) 発行年： 2021年02月24日
JST資料番号： U2030A ISSN： 2432-6380 資料種別：会議録 (C)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

酸化銅(II)(CuO)薄膜と酸化銅(I)(Cu₂O)薄膜が,それぞれpH10に調整された硝酸銅(II)三水和物を用いた通常の化学溶液析出法(CBD法)と鉄(Fe)支援CBD法でAu/Ti/Si(100)基板上に作製された.硝酸亜鉛六水和物とヘキサメチレンテトラミンの混合水溶液を用いたCBD法でCuOおよびCu₂O薄膜上に酸化亜鉛(ZnO)ナノロッド(NRs)を成長した.ZnO NRs/CuOおよびZnO NRs/Cu₂Oヘテロ接合のフォトルミネッセンス(PL)スペクトルはともに~380nmにピークを持つバンド端発光と格子間酸素に関係するブロードなオレンジ色発光から成っていた.しかしながら,ZnO NRs/Cu₂Oヘテロ接合の電流-電圧特性では整流性が観察されなかった.この結果は,リーク電流を避けるためにZnO NRs層とCu₂O(あるいはCuO)層間にバッファ層の導入が必要であることを示している.(著者抄録)

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13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合

引用文献 (8件)：

T.Minami, New,n-type transparent conducting oxides, MRS Bulletin, Vol.25,issue 8,pp.38-44,August2000.
W. Shockley, H.J. Queisser, Detailed balance limit of efficiency of p-n junction solar cells, Journal of Applied Physics Vol. 32, Issue 3, pp.510-519, 1961.
野澤哲生:2階建てになる太陽電池高効率と低コストを両立へ,日経エレクトロニクス 2019年4月号 pp.53-58.
T. Terasako, T. Murakami, M. Yagi, S. Shirakata, Shape controllability and photoluminescence properties of ZnO nanorods grown by chemical bath deposition, Thin Solid Films, Vol. 549, pp.292 -298, December 2013.
T, Terasako, K, Ohnishi, H, Okada, S. Obara, M. Yagi, Possibility of selective and morphology-controlled growth of CuO and Cu₂O films, Thin Solid Films, Vol. 644, pp.146-155, December 2017.

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化学溶液析出法によるZnOナノロッド/CuOおよびZnOナノロッド/Cu2Oヘテロ接合の作製

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