特許

J-GLOBAL ID：202103007632409368

酸化物半導体装置及びその製造方法

発明者： 湯田 洋平 ,  綿引 達郎 ,  宮島 晋介 ,  滝口 雄貴
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社 ,  国立大学法人東京工業大学
代理人 (2件)： 吉竹 英俊 ,  有田 貴弘
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2020-538314
特許番号：特許第6980116号
出願日： 2019年08月08日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 n型酸化ガリウム層と、 前記n型酸化ガリウム層の上方に配設され、ガリウムと異なる元素を主成分として有し、p型の導電性を有するp型酸化物半導体層と、 前記p型酸化物半導体層と電気的に接合された第1電極と、 前記n型酸化ガリウム層と前記p型酸化物半導体層との間に配設され、材料が酸化ガリウムと異なる材料であり、かつ前記p型酸化物半導体層の材料と少なくとも一部が異なる材料である酸化物層と を備える、酸化物半導体装置。

IPC (9件)：

H01L 29/872 ( 200 6.01) ,  H01L 29/24 ( 200 6.01) ,  H01L 29/861 ( 200 6.01) ,  H01L 29/868 ( 200 6.01) ,  H01L 21/329 ( 200 6.01) ,  H01L 29/06 ( 200 6.01) ,  H01L 29/12 ( 200 6.01) ,  H01L 29/78 ( 200 6.01) ,  H01L 21/336 ( 200 6.01)

FI (12件)：

H01L 29/86 301 E ,  H01L 29/86 301 D ,  H01L 29/24 ,  H01L 29/91 K ,  H01L 29/86 301 F ,  H01L 29/86 301 P ,  H01L 29/06 301 R ,  H01L 29/06 301 V ,  H01L 29/78 652 T ,  H01L 29/78 654 C ,  H01L 29/78 301 B ,  H01L 29/78 301 G