特許

J-GLOBAL ID：202103009854832857

酸化物半導体装置及びその製造方法

発明者： 湯田 洋平 ,  綿引 達郎 ,  宮島 晋介 ,  滝口 雄貴
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社 ,  国立大学法人東京工業大学
代理人 (2件)： 吉竹 英俊 ,  有田 貴弘
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2019031483
公開番号（公開出願番号）：WO2020-039971
出願日： 2019年08月08日
公開日（公表日）： 2020年02月27日
要約：

酸化物半導体装置の特性劣化を抑制可能な技術を提供することを目的とする。酸化物半導体装置は、n型酸化ガリウムエピタキシャル層と、p型酸化物半導体層と、酸化物層とを備える。p型酸化物半導体層は、n型酸化ガリウムエピタキシャル層の上方に配設され、ガリウムと異なる元素を主成分として有し、p型の導電性を有する。酸化物層は、n型酸化ガリウムエピタキシャル層とp型酸化物半導体層との間に配設され、酸化物層の材料は、酸化ガリウムと異なる材料であり、かつp型酸化物半導体層の材料と少なくとも一部が異なる材料である。

請求項（抜粋）：

n型酸化ガリウム層と、 前記n型酸化ガリウム層の上方に配設され、ガリウムと異なる元素を主成分として有し、p型の導電性を有するp型酸化物半導体層と、 前記p型酸化物半導体層と電気的に接合された第1電極と、 前記n型酸化ガリウム層と前記p型酸化物半導体層との間に配設され、材料が酸化ガリウムと異なる材料であり、かつ前記p型酸化物半導体層の材料と少なくとも一部が異なる材料である酸化物層と を備える、酸化物半導体装置。

IPC (9件)：

H01L 29/872 ,  H01L 29/24 ,  H01L 29/861 ,  H01L 29/868 ,  H01L 21/329 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/12 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (12件)：

H01L29/86 301E ,  H01L29/86 301D ,  H01L29/24 ,  H01L29/91 K ,  H01L29/86 301F ,  H01L29/86 301P ,  H01L29/06 301R ,  H01L29/06 301V ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 654C ,  H01L29/78 301B ,  H01L29/78 301G

Fターム (9件)：

5F140BA09 ,  5F140BB03 ,  5F140BB13 ,  5F140BD04 ,  5F140BF04 ,  5F140BF15 ,  5F140BF42 ,  5F140BF44 ,  5F140BJ05