特許
J-GLOBAL ID：202103018798338452
ヘテロエピタキシャル構造体及びその作製方法、並びにヘテロエピタキシャル構造を含む金属積層体及びその作製方法、ナノギャップ電極及びナノギャップ電極の作製方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人高橋・林アンドパートナーズ
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2019034167
公開番号（公開出願番号）：WO2020-071025
出願日： 2019年08月30日
公開日（公表日）： 2020年04月09日
要約：
ヘテロエピタキシャル構造体は、多結晶構造を有する第1金属部と、第1金属部上の第2金属部と、を有し、第2金属部は第1金属部上で島状構造を有し、第2金属部は第1金属部の表面に露出する少なくとも一つの結晶粒に対応して設けられ、第2金属部と少なくとも一つの結晶粒とはヘテロエピタキシャル界面を形成している。第1金属部は、白金(Pt)、パラジウム(Pd)、ロジウム(Rd)、ルテニウム(Ru)、オスミウム(Os)、イリジウム(Ir)から選ばれた一種の金属元素を含み、第2金属部は、金(Au)であることが好ましい。
請求項（抜粋）：
多結晶構造を有する第1金属部と、
前記第1金属部上の第2金属部と、を有し、
前記第2金属部は、前記第1金属部上で島状構造を有し、
前記第2金属部は、前記第1金属部の表面に露出する少なくとも一つの結晶粒に対応して設けられ、
前記第2金属部と前記少なくとも一つの結晶粒とは、ヘテロエピタキシャル界面を形成する、
ことを特徴とするヘテロエピタキシャル構造体。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (5件)：
4K022AA02
, 4K022BA03
, 4K022CA29
, 4K022DA01
, 4K022DB07
