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J-GLOBAL ID：202202210138056883   整理番号：22A0134453

反応性プラズマプロセスを用いた高移動度IGZO薄膜トランジスタの低温形成(IV)

Low-temperature Formation of High-Mobility IGZO Thin Film Transistors using Reactive Plasma Processes (IV)

著者 (7件)： 竹中弘祐 (阪大 接合研) ,  林祐仁 (阪大 接合研) ,  小松響 (阪大 接合研) ,  都甲将 (阪大 接合研) ,  内田儀一郎 (名城大 理工) ,  江部明憲 (イー・エム・ディー) ,  節原裕一 (阪大 接合研)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 82nd  ページ： ROMBUNNO.22p-P01-12  発行年： 2021年08月26日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

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シソーラス用語： *プラズマ ,...
準シソーラス用語： フレキシブルディスプレイ ,...

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分類 (1件)： 蛋白質・ペプチド一般  (EB03010N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 反応性プラズマ ,  プロセス ,  高移動度 ,  IGZO ,  薄膜トランジスタ ,  低温形成