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J-GLOBAL ID：202202218189092240   整理番号：22A1706606

プラズマCVD法を用いたa-C:H薄膜製膜特性に対するガス圧力・基板位置の効果

Effects of gas pressure and substrate position on deposition characteristics of a-C:H films deposited by plasma CVD method

著者 (13件)： 小野晋次郎 (九大) ,  吉川大智 (九大) ,  HWANG Sung Hwa (九大) ,  奥村賢直 (九大) ,  鎌滝晋礼 (九大) ,  山下尚人 (九大) ,  板垣奈穂 (九大) ,  古閑一憲 (九大) ,  古閑一憲 (自然科学研究機構) ,  白谷正治 (九大) ,  OH Jun Seok (大阪市大) ,  鷹林将 (有明工高専) ,  中谷達行 (岡山理大)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 69th  ページ： ROMBUNNO.24p-D114-10  発行年： 2022年02月25日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

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シソーラス用語： Ramanスペクトル ,...

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分類 (1件)： 蛋白質・ペプチド一般  (EB03010N)

タイトルに関連する用語 (4件)： プラズマCVD法 ,  薄膜 ,  膜特性 ,  ガス圧力