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J-GLOBAL ID：202202220065765048   整理番号：22A2503735

イオンゲートを用いた磁性トポロジカル絶縁体FeドープBiSbTe₂Seの表面状態の制御

Ionic-Liquid Gating on the Surface States of Magnetically-doped Topological Insulator Fe-Doped BiSbTe₂Se

著者 (5件)： 反田剛 (名古屋大 工) ,  矢野力三 (名大 未来研) ,  廣瀬陽代 (東京工大) ,  笹川崇男 (東京工大) ,  柏谷聡 (名古屋大 工)
資料名： 日本物理学会講演概要集(CD-ROM)  (Meeting Abstracts of the Physical Society of Japan (CD-ROM))
巻： 77  号： 1  ページ： ROMBUNNO.16pPSD-11  発行年： 2022年03月24日 
JST資料番号： S0671C  ISSN： 2189-079X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： トポロジカル絶縁体(磁性TI)は磁性をドープすることで表面ディラックコーンにギャップが開く。この特殊な表面状態を有する磁性TIは、量子異常ホール効果や超伝導近接効果によるマヨラナ粒子出現など、新奇物理現象の舞台となることが期待されている。我...【本文一部表示】

シソーラス用語： *トポロジカル絶縁体 ,  *鉄 ,  *ドーピング ,  *ビスマス化合物 ,  *アンチモン化合物 ,  *テルル化物 ,  *セレン化物 ,  *表面構造 ,  振動 ,  Fermi準位 ,  Dirac電子 ,  ゲート制御 ,  *トポロジカル表面状態 ,  *構造
準シソーラス用語： *トポロジー表面状態 ,  量子振動

分類 (1件)： 半導体の表面構造  (BK15030A)

タイトルに関連する用語 (6件)： イオン ,  ゲート ,  磁性 ,  トポロジカル絶縁体 ,  Fe ,  ドープ