抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
気相-液相-固相成長機構によるZnGa
2O
4ナノ構造の成長をZn,GaおよびH
2Oを原料,スパッタリングAu薄膜を触媒金属原料に用いた大気圧化学気相堆積法で試みた.成長温度と原料ボート-基板間距離ともにZnGa
2O
4ナノワイヤー(NWs)成長にとって重要なパラメータであることが明らかになった.成長温度970~975°Cにおいて直径100~140nmの単相のZnGa
2O
4NWsが得られた.紫外線照射下でZnGa
2O
4NWsのフォトルミネッセンス(PL)スペクトルはブロードな青色発光が支配的であった.PLピークエネルギーとPL励起(PLE)スペクトルのピークエネルギーの差(ストークスシフト)は非常に大きく,強いフォノンとの相互作用が予測される.(著者抄録)