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J-GLOBAL ID：202202228476413240   整理番号：22A0059642

蓄積動作可能なpチャネルGaN MOSゲートスタックプロセスの開発

Development of Gate Stack Process for Accumulation-mode GaN p-MOSFETs

著者 (1件)： 星井拓也 (東京工大)
資料名： スズキ財団年次報告書
巻： 2021  ページ： 138-139  発行年： 2021年 
JST資料番号： F2578A  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (7件)： 蓄積 ,  チャネル ,  GaN ,  MOS ,  ゲートスタック ,  プロセス ,  開発