文献

J-GLOBAL ID：202202233354741351   整理番号：22A2503052

Si(111)√3×√3-B表面上のBi(110)超薄膜の電子状態における基板依存性

著者 (10件)： 大内拓実 (東京工大) ,  長尾俊祐 (東京工大) ,  中村玲雄 (東京工大) ,  竹村晃一 (東京工大) ,  志村舞望 (東京工大 理) ,  潮田亮太 (東京工大 理) ,  飯盛拓嗣 (東大 物性研) ,  小森文夫 (東京工大) ,  平山博之 (東京工大 理) ,  中辻寛 (東京工大)
資料名： 日本物理学会講演概要集(CD-ROM)  (Meeting Abstracts of the Physical Society of Japan (CD-ROM))
巻： 77  号： 1  ページ： ROMBUNNO.15pPSJ-16  発行年： 2022年03月24日 
JST資料番号： S0671C  ISSN： 2189-079X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 2および4原子層Bi(110)超薄膜は、表面にあるBi原子が電子ドープされることで、バックリングが変化し二次元トポロジカル絶縁体になると第一原理計算から予測されている。[1].我々はこれまでに、Si(111)[...]表面上に成長させたBi(1...【本文一部表示】

シソーラス用語： *超薄膜 ,  *ビスマス ,  トポロジカル絶縁体 ,  分散【dispersion】 ,  角度分解分光法 ,  光電子分光法 ,  *電子状態 ,  電荷移動 ,  効果 ,  キャリア注入 ,  ドーピング ,  ケイ素 ,  ARPES ,  キャリアドーピング ,  バンド分散
準シソーラス用語： 基板効果

分類 (2件)： 表面の電子構造  (BM02080J) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (5件)： Si ,  Bi ,  薄膜 ,  電子状態 ,  依存性