文献

J-GLOBAL ID：202202233642652125   整理番号：22A1707732

高移動度IGZO薄膜トランジスタの大面積均一形成に向けたプラズマ支援反応性プロセスの開発

Development of Plasma-Assisted Reactive Processes for Large-Area Uniform Formation of High-Mobility IGZO Thin Film Transistors

著者 (6件)： 竹中弘祐 (阪大 接合研) ,  吉谷友希 (阪大 接合研) ,  都甲将 (阪大 接合研) ,  内田儀一郎 (名城大 理工) ,  江部明憲 (イー・エム・ディー) ,  節原裕一 (阪大 接合研)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 69th  ページ： ROMBUNNO.26a-P03-7  発行年： 2022年02月25日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： ...【本文一部表示】

シソーラス用語： *プラズマ ,...

ログイン（無料）して見る     このテーマを更に深掘りする（JDreamⅢへ）  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=22A1707732&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=Y0054B") }}

分類 (2件)： 蛋白質・ペプチド一般  (EB03010N) ,  有機化合物の薄膜  (BK14070L)

タイトルに関連する用語 (9件)： 高移動度 ,  IGZO ,  薄膜トランジスタ ,  大面積 ,  プラズマ ,  支援 ,  反応性 ,  プロセス ,  開発