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J-GLOBAL ID：202202235801574808   整理番号：22A0262582

DPC STEMを用いたGaN系半導体ヘテロ接合界面における電場定量観察法の開発

Quantitative electric field mapping in GaN/AlGaN heterostructures by DPC STEM

著者 (7件)： 遠山慧子 (東大) ,  関岳人 (東大) ,  蟹谷裕也 (ソニー) ,  工藤喜弘 (ソニー) ,  冨谷茂隆 (ソニー) ,  幾原雄一 ,  柴田直哉
資料名： 日本セラミックス協会秋季シンポジウム講演予稿集(CD-ROM)
巻： 33rd  ページ： ROMBUNNO.2C03  発行年： 2020年08月17日 
JST資料番号： L2240B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *コントラスト ,  *透過型走査電子顕微鏡 ,  *窒化ガリウム ,  *アルミニウム化合物 ,  *化合物半導体 ,  *界面 ,  ヘテロ接合 ,  キャリア密度 ,  電磁場 ,  *電場 ,  局所性 ,  分布 ,  局所電場 ,  電磁場分布 ,  *ヘテロ界面 ,  *電界分布
準シソーラス用語： *ヘテロ接合界面 ,  *電場分布 ,  *微分位相コントラスト

分類 (3件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  非金属材料へのセラミック被覆  (YC02040K) ,  顕微鏡法  (BK01040E)

タイトルに関連する用語 (9件)： DPC ,  STEM ,  GaN ,  半導体ヘテロ接合 ,  界面 ,  電場 ,  定量 ,  観察 ,  開発