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J-GLOBAL ID：202202237330921331   整理番号：22A0133838

P型物理形成シリコン量子ドットRF電荷センサの感度特性評価

Characterization of sensitivity of a p-channel physically-defined silicon quantum-dot RF charge sensor

著者 (9件)： 溝口来成 (東京工大) ,  西山伸平 (東京工大) ,  西山伸平 (産業技術総合研) ,  加藤公彦 (産業技術総合研) ,  LIU Yongxun (産業技術総合研) ,  村上重則 (産業技術総合研) ,  森貴洋 (産業技術総合研) ,  米田淳 (東京工大) ,  小寺哲夫 (東京工大)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 82nd  ページ： ROMBUNNO.13a-N304-5  発行年： 2021年08月26日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

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シソーラス用語： SN比 ,...

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分類 (2件)： 量子光学一般  (BD04010X) ,  生物物理的研究法  (EA03020V)

タイトルに関連する用語 (7件)： 物理 ,  シリコン ,  量子ドット ,  RF ,  電荷センサ ,  感度特性 ,  評価