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J-GLOBAL ID：202202241492285914   整理番号：22A0931595

光音響・発光同時計測法による窒化物半導体の発光内部量子効率の絶対測定

Absolute Measurement of Emission Internal Quantum Efficiency in III-Nitride Semiconductors by Simultaneous Photo-Acoustic and Photoluminescence Spectroscopy

著者 (4件)： 山口敦史 (金沢工業大学) ,  森恵人 (金沢工業大学) ,  草薙進 (ソニーグループ株式会社) ,  冨谷茂隆 (ソニーグループ株式会社)
資料名： 日本結晶成長学会誌(CD-ROM)  (Journal of the Japanese Association for Crystal Growth (CD-ROM))
巻： 48  号： 4  ページ： ROMBUNNO.48-4-01(J-STAGE)  発行年： 2022年 
JST資料番号： F0452C  ISSN： 2188-7268  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 発光内部量子効率(IQE)は光学デバイスの活性層の品質を評価する重要な指標である。IQEは,通常,極低温でのIQEが100%であると仮定して,フォトルミネセンス(PL)強度の温度依存性から推定される。しかし,III-窒化物薄膜は,通常,高密度結晶欠陥を持ち,仮定が妥当であるとは言えない。2016年に,PLと光音響(PA)の同時測定により正確なIQE値を推定する新しい方法を提案し,種々のGaN試料のIQE値を実証的に評価した。その後,この方法をInGaN量子井戸活性層に適用し,層内のIQE値とその励起キャリア密度依存性を推定した。本論文では,同時PA/PL測定の原理を紹介し,III-窒化物半導体試料中のIQE値の絶対測定のいくつかの例を示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *量子効率 ,  *化合物半導体 ,  光ルミネセンス ,  光音響分光法 ,  インジウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  窒化物 ,  量子井戸 ,  *半導体素子 ,  キャリア再結合 ,  キャリア密度 ,  格子欠陥 ,  同時計測 ,  ワイドギャップ半導体 ,  *窒化物半導体 ,  半導体量子井戸 ,  窒化インジウムガリウム
準シソーラス用語： InGaN ,  フォトルミネセンス ,  *内部量子効率 ,  *半導体発光素子

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

引用文献 (28件)：

• 1) K. Okamoto, A. Scherer, and Y. Kawakami: Phys. Status Solidi C, 5 (2008) 2822.
• 2) Y.-J. Lee, C.-H. Chiu, C. C. Ke, P. C. Lin, T.-C. Lu, H.-C. Kuo, and S.-C. Wang: IEEE J. Selected Topics in Quantum Electron. 15 (2009) 1137.
• 3) H. Hirayama, S. Fujikawa, N. Noguchi, J. Norimatsu, T. Takano, K. Tsubaki, and N. Kamata: Phys. Status Solidi A, 206 (2009) 1176.
• 4) K. Kojima, Y. Tsukada, E. Furukawa, M. Saito, Y. Mikawa, S. Kubo, H. Ikeda, K. Fujito, A. Uedono and S. F. Chichibu: Appl. Phys. Express 8 (2015) 095501.
• 5) A. A. Yamaguchi, Y. Mochizuki, and M. Mizuta: Jpn. J. Appl. Phys., 39 (2000) 2402.

タイトルに関連する用語 (3件)： 同時計測 ,  窒化物半導体 ,  内部量子効率