文献

J-GLOBAL ID：200902287318200946   整理番号：09A0729724

サファイヤ基板上の高品質AlN上に作製した222~282nm発光のAlGaNおよびInAlGaNベース深紫外LED

222-282nm AlGaN and InAlGaN-based deep-UV LEDs fabricated on high-quality AlN on sapphire

著者 (18件)： HIRAYAMA Hideki (RIKEN, Saitama, JPN) ,  HIRAYAMA Hideki (Saitama Univ., Saitama, JPN) ,  HIRAYAMA Hideki (JST-CREST, Saitama, JPN) ,  FUJIKAWA Sachie (RIKEN, Saitama, JPN) ,  FUJIKAWA Sachie (Saitama Univ., Saitama, JPN) ,  FUJIKAWA Sachie (JST-CREST, Saitama, JPN) ,  NOGUCHI Norimichi (RIKEN, Saitama, JPN) ,  NOGUCHI Norimichi (Saitama Univ., Saitama, JPN) ,  NOGUCHI Norimichi (JST-CREST, Saitama, JPN) ,  NORIMATSU Jun (RIKEN, Saitama, JPN) ,  NORIMATSU Jun (Saitama Univ., Saitama, JPN) ,  NORIMATSU Jun (JST-CREST, Saitama, JPN) ,  TAKANO Takayoshi (RIKEN, Saitama, JPN) ,  TAKANO Takayoshi (Panasonic Electric Works, Ltd., Osaka, JPN) ,  TSUBAKI Kenji (RIKEN, Saitama, JPN) ,  TSUBAKI Kenji (Panasonic Electric Works, Ltd., Osaka, JPN) ,  KAMATA Norihiko (Saitama Univ., Saitama, JPN) ,  KAMATA Norihiko (JST-CREST, Saitama, JPN)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 206  号： 6  ページ： 1176-1182  発行年： 2009年06月 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： アンモニアパルスフロー多層成長法を用いて,貫通転位密度(TDD)の低い高品質AlNテンプレートを作製し,このテンプレート上にに222~282nmの波長域で発光するAlGaNおよびInAlGaNベース深紫外LEDを作製することに成功した。この作製法によって,刃状転位と螺旋転位の密度は,それぞれ,7.5×10⁸および3.8×10⁷と低減していることがX線ロッキングカーブ測定より確認できた。このようにして作製したAlGaN多重量子井戸深紫外LEDは,222~282nmに単一の発光ピークをもつエレクトロルミネセンスを示した。また,227nm222nmに対する出力は上述の2波長よりもかなり小さく0.1mW以下であった。さらに,同様にして作製したInAlGaNベース深紫外LEDの280nmバンドの発光特性の測定結果についても論じた。

シソーラス用語： *ガリウム化合物 ,  *窒化物 ,  *紫外線 ,  *発光ダイオード ,  貫通転位 ,  刃状転位 ,  螺旋転位 ,  ロッキングカーブ ,  多重量子井戸 ,  エレクトロルミネセンス ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜
準シソーラス用語： *LED ,  *深紫外 ,  *窒化インジウムアルミニウム ,  *窒化インジウムガリウム

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (6件)： サファイヤ基板 ,  高品質 ,  AlN ,  作製 ,  AlGaN ,  深紫外LED