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J-GLOBAL ID：202202249896246677   整理番号：22A2781930

トポロジカルディラック半金属薄膜における3次元的量子化伝導

著者 (5件)： 西早辰一 (東大) ,  西早辰一 (東京工大 理学院) ,  打田正輝 (東大) ,  打田正輝 (東京工大 理学院) ,  川崎雅司 (東大)
資料名： 東京大学低温科学研究センター年報  (Annual Report. Cryogenic Research Center, University of Tokyo)
号： 13  ページ： 6-11  発行年： 2022年10月 
JST資料番号： F1229A  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 物質内部のエネルギー状態に特異なねじれ構造を持つトポロジカル物質では,真空や非トポロジカル物質との境界に表面状態や端状態が現れる。トポロジカルに保護されたそれらの電子状態は,典型的に非散逸な電荷やスピンの輸送現象を実現し,近年の物質科学研究において大きな注目を集めてきた。その中でもトポロジカル半金属相は,非自明なバルク状態自体がギャップレスとなるために,表面状態の純粋な2次元伝導ではなく,3次元バルク状態との結合によって特殊な伝導状態が生じる新しいトポロジカル相である。本稿では,その代表物質であるCd₃As₂の高品質薄膜において観測に成功したトポロジカル半金属相特有の3次元的な量子化伝導状態について紹介する。(著者抄録)

シソーラス用語： *半金属 ,  *薄膜 ,  量子化 ,  *輸送現象 ,  三次元 ,  ヒ素化合物 ,  カドミウム化合物 ,  トポロジカル相 ,  Fermi面 ,  キラリティ ,  *トポロジカル半金属 ,  *量子輸送
準シソーラス用語： Fermiアーク ,  Weyl点 ,  *量子輸送現象

分類 (1件)： 電子物性一般  (BM01000S)

引用文献 (13件)：

• X.-L. Qi and S. C. Zhang, Rev. Mod. Phys. 83, 1057-1110 (2011).
• N. P. Armitage et al. Rev. Mod. Phys. 90, 015001 (2018).
• S. Murakami, New J. Phys. 9, 356 (2007).
• B.-J. Yang and N. Nagaosa, Nat Commun. 5, 4898 (2014).
• Z. Wang et al., Phys. Rev. B 88, 125427 (2013)

タイトルに関連する用語 (4件)： 半金属薄膜 ,  3次元 ,  量子化 ,  伝導