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J-GLOBAL ID：202202277333819305   整理番号：22A1018163

微分位相コントラストSTEMを用いたGaN/AlGaN/InGaNマルチヘテロ接合の局所電場観察

The Observation of Local Electric Fields in GaN/AlGaN/InGaN Multi-heterostructures by Differential Phase Contrast STEM

著者 (8件)： 遠山慧子 (東京大学工学系研究科総合研究機構) ,  関岳人 (東京大学工学系研究科総合研究機構) ,  蟹谷裕也 (ソニーグループ(株)) ,  冨谷茂隆 (ソニーグループ(株)) ,  幾原雄一 (東京大学工学系研究科総合研究機構) ,  幾原雄一 (ファインセラミックスセンター) ,  柴田直哉 (東京大学工学系研究科総合研究機構) ,  柴田直哉 (ファインセラミックスセンター)
資料名： 電気学会論文誌 C  (IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems)
巻： 142  号： 3  ページ： 367-372(J-STAGE)  発行年： 2022年 
JST資料番号： S0810A  ISSN： 0385-4221  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 試料内部の局所電場分布を,微分位相コントラスト走査透過型電子顕微鏡(DPC STEM)によって直接観察することができる。本研究では,DPC STEMをGaN/AlGaN/InGaNマルチヘテロ構造に適用した。GaN/AlGaN/InGaNの静電ポテンシャルの違いを成功裏に可視化した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *コントラスト ,  *透過型走査電子顕微鏡 ,  *窒化ガリウム ,  アルミニウム化合物 ,  インジウム化合物 ,  *ヘテロ接合 ,  *電場 ,  電位 ,  固体素子 ,  *局所電場 ,  静電ポテンシャル
準シソーラス用語： *マルチヘテロ接合 ,  *微分位相コントラスト ,  量子井戸素子

著者キーワード (4件)： 走査透過電子顕微鏡 ,  窒化ガリウム ,  scanning transmission electron microscopy ,  GaN

分類 (1件)： 顕微鏡法  (BK01040E)

引用文献 (26件)：

• (1) M. Haider, S. Uhlemann, E. Schwan, G. Rose, B. Kabius, and K. Urban : “Electron microscopy image enhanced”, Nature, Vol. 392, No. 6678, pp. 768-769 (1998)
• (2) S. Morishita, R. Ishikawa, Y. Kohno, H. Sawada, N. Shibata, and Y. Ikuhara : “Attainment of 40.5 pm spatial resolution using 300 kV scanning transmission electron microscope equipped with fifth-order aberration corrector”, Microscopy, Vol. 67, No. 1, pp. 46-50 (2018)
• (3) H. Rose : “Phase Contrast in Scanning Transmission Electron Microscopy”, Optik, Vol. 39, No. 4. pp. 416-436 (1974)
• (4) N. H. Dekkers and H. d. Lang : “Differential Phase Contrast in a STEM”, Optik (Stuttg)., Vol. 41, No. 4, pp. 452-456 (1974)
• (5) J. N. Chapman, I. R. McFadyen, and S. McVitie : “Modified differential phase contrast Lorentz microscopy for improved imaging of magnetic structures”, IEEE Trans. Magn., Vol. 26, No. 5, pp. 1506-1511 (1990)

タイトルに関連する用語 (10件)： 微分 ,  位相コントラスト ,  STEM ,  GaN ,  AlGaN ,  InGaN ,  マルチ ,  ヘテロ接合 ,  局所電場 ,  観察