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J-GLOBAL ID：202202280527350761   整理番号：22A2448433

大気圧化学気相堆積法によるr面サファイア基板上へのβ-Ga₂O₃及びZnGa₂O₄薄膜成長

Atmospheric-pressure Chemical Vapor Deposition of β-Ga₂O₃ and ZnGa₂O₄ Thin Films on r-Plane Sapphire Substrates

著者 (3件)： 寺迫智昭 (愛媛大 大学院理工学研究科) ,  濱園龍一 (愛媛大 大学院理工学研究科) ,  矢木正和 (香川高専)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告(Web)  (IEICE Technical Report (Web))
巻： 122  号： 147(CPM2022 11-20)  ページ： 26-29 (WEB ONLY)  発行年： 2022年07月28日 
JST資料番号： U2030A  ISSN： 2432-6380  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： Zn,GaおよびH₂Oを原料に用いた大気圧化学気相堆積(AP-CVD)法によってr面サファイア基板上へのZnGa₂O₄で試みた.X線回折(XRD)測定から成長温度と原料ボート-基板間距離がZnGa₂O₄の成長にとって重要なファクターであることが明らかになった.原料ボートに近接する位置に置かれた基板上には多結晶β-Ga₂O₃が優先的に成長し,その結晶粒サイズは成長温度の低下とともに減少した.一方,原料ボートからわずかに離れた位置に置かれた基板上に多結晶ZnGa₂O₄薄膜が成長する傾向があった.多結晶ZnGa₂O₄薄膜の表面モフォロジーは,β-Ga₂O₃薄膜とは著しく異なっていた.多結晶ZnGa₂O₄は基板表面上にまばらに分布した島状構造からなっていた.(著者抄録)

シソーラス用語： *酸化ガリウム ,  *亜鉛化合物 ,  サファイア ,  基板 ,  *薄膜成長 ,  化学蒸着 ,  X線回折 ,  温度 ,  結晶粒径 ,  モルフォロジー ,  島状構造 ,  鉱石 ,  宝石

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

引用文献 (10件)：

• M. Higashiwaki, A. Kuramata, H. Murakami, Y. Kumagai, State-of-the-art technologies of gallium oxide power devices, J. Phys. D, Vol.50, No.33, art. no. 333002, July 2017.
• E. Chikoidze, C. Sartel, I. Madaci, H. Mohamed, C. Vilar, B. Ballesteros, F. Belarre, E. del Corro, P. Vales-Castro, G. Sauhier, L. Li, M. Jennings, V. Sallet, Y. Dumont, A. Pérez-Tomás, “p-Type UltrawideBand-Gap Spinel ZnGa₂O₄: New Perspectives for Energy Electronics,” Cryst. Growth Des. Vol.20, Issue 4, pp.2535-2546, April 2020.
• T. Terasako, H. Ichinotani, M. Yagi, “Growth of βgallium oxide films and nanostructures by atmospheric CVD using gallium and water as source materials,” Phys. Status Solidi C Vol.12, Issue 7, pp.985-988, July 2015.
• T. Terasako, Y. Kawasaki, M. Yagi, “Growth and morphology control of β-Ga₂O₃ nanostructures by atmospheric-pressure CVD,” Thin Solid Films Vol.620, pp.23-29, December 2016.
• 寺迫智昭,米田岳司,高橋尚大,矢木正和,ZnGa₂O₄ ナノ構造の気相-液相-固相成長と構造およびフォトルミネッセンス特性,電子情報通信学会技術報告 , Vol. 121, No. 260, CPM2021-50, pp.7-12, November 2021.

タイトルに関連する用語 (5件)： 大気圧 ,  化学気相堆積 ,  サファイア基板 ,  β-Ga2O3 ,  薄膜成長