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J-GLOBAL ID：202202286384252884   整理番号：22A0825908

ゲート磁気結合方式を用いたSiC-MOSFET/SiC-SBDパワーモジュール直列駆動に関する研究

Study on Driving Technique for Series-connected SiC-MOSFETs/SiC-SBDs Power Modules Using Gate-Magnetic-Coupling Method

著者 (6件)： 中西達哉 (東京工大) ,  浦壁隆浩 (東京工大) ,  萩原誠 (東京工大) ,  中嶋純一 (三菱電機) ,  檜垣優介 (三菱電機) ,  地道拓志 (三菱電機)
資料名： 電気学会研究会資料(Web)  (Papers of Technical Meeting, IEE Japan (Web))
号： SPC-22-001.003-013/MD-22-001.003-013 半導体電力変換研究会/モータドライブ研究会  ページ： 45-50 (WEB ONLY)  発行年： 2022年01月24日 
JST資料番号： U2358A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 本稿では,ゲート磁気結合方式を適用した3.3kV/750A定格SiC-MOSFET/SiC-SBDで構成された直列接続パワーモジュールの性能に焦点を当てた。2つのゲート駆動回路を1つの変圧器により磁気結合させ,スイッチング中のゲート電流を同期してデバイス電圧をバランスさせた。本稿では,スイッチングに関連する回路パラメータが変動する計算機シミュレーションを用いて,スイッチング動作中の電圧アンバランスとスイッチング損失を評価した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *電磁結合 ,  MOSFET ,  Schottky障壁ダイオード ,  *ゲート回路 ,  *回路モジュール ,  直列接続 ,  *磁気結合
準シソーラス用語： SiC MOSFET ,  SiC SBD ,  *ゲート駆動回路 ,  *パワーモジュール

分類 (1件)： 電力変換器  (NB08030B)

引用文献 (9件)：

• C. Hu: “Optimal Doping Profile for Minimum Ohmic Resistance and High-breakdown Voltage”, IEEE Trans. on Electron Devices, Vol. ED-26, No. 3, March 1979.
• Mario Schweizer and Thiago B. Soeiro: “Heatsink-less Quasi 3-level flying capacitor inverter based on low voltage SMD MOSFETs”, EPE’17 ECCE Europe, pp.1-10 (2017)
• P. R. Palmer and A. N. Githiari: “The series connection of IGBT ’s with active voltage sharing”, IEEE Trans. Power Electron., Vol.12, No. 4, July, pp. 637-644 (1997)
• S. Hong, V. Chitta, and D. A. Torrey: “Series connection of IGBT ’s with active voltage balancing”, IEEE Trans. Ind. Appli., Vol. 35, No. 4, pp. 917- 923 (1999)
• I. Baraia, J. A. Barrena, G. Abad, J. M. C. Segade, and U. Iraola: “An experimentally verified active gate control method for the series connection of IGBT/diodes”, IEEE Trans. Power Electron., Vol. 27, No. 2, pp. 1025-1038 (2012)

タイトルに関連する用語 (8件)： ゲート ,  磁気結合 ,  SiC ,  MOSFET ,  SBD ,  パワーモジュール ,  直列 ,  研究