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J-GLOBAL ID：202202290748337366   整理番号：22A2503706

Si(111)7×7基板上のIn薄膜における結晶成長と埋もれた界面の研究

Observation of the buried interface under the ultrathin In film on the Si(111)7×7 substrate; Revisit

著者 (5件)： 笹川直希 (Tokyo Inst. of Technol.) ,  板倉悠太 (Tokyo Inst. of Technol.) ,  木崎京香 (Tokyo Inst. of Technol.) ,  中辻寛 (Tokyo Inst. of Technol.) ,  平山博之 (Tokyo Inst. of Technol.)
資料名： 日本物理学会講演概要集(CD-ROM)  (Meeting Abstracts of the Physical Society of Japan (CD-ROM))
巻： 77  号： 1  ページ： ROMBUNNO.16pGE11-4  発行年： 2022年03月24日 
JST資料番号： S0671C  ISSN： 2189-079X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 金属薄膜/半導体接合におけるショットキー障壁高さは、金属薄膜を蒸着する以前の半導体表面構造に応じて変化することが知られている[1]。ただし薄膜を蒸着後に金属薄膜下に埋もれた界面でも、蒸着前の正常な半導体表面における原子配列がそのまま保たれて...【本文一部表示】

シソーラス用語： *インジウム ,  *薄膜 ,  ケイ素 ,  走査型トンネル顕微鏡 ,  ウエハ【IC】 ,  *周期構造 ,  単結晶シリコン ,  シリコンウエハ
準シソーラス用語： STM【顕微鏡】 ,  *インジウム薄膜 ,  シリコン基板

分類 (1件)： 金属薄膜  (BK14030T)

タイトルに関連する用語 (5件)： Si ,  薄膜 ,  結晶成長 ,  界面 ,  研究