特許

J-GLOBAL ID：202203011517692956

半導体基板、半導体素子、及び半導体基板の製造方法

発明者： 倉又 朗人 ,  渡辺 信也 ,  佐々木 公平 ,  八木 邦明 ,  八田 直記 ,  東脇 正高 ,  小西 敬太
出願人/特許権者： 株式会社タムラ製作所 ,  株式会社サイコックス ,  国立研究開発法人情報通信研究機構
代理人 (1件)： 特許業務法人平田国際特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2017-135017
公開番号（公開出願番号）：特開2019-014639
特許番号：特許第7061747号
出願日： 2017年07月10日
公開日（公表日）： 2019年01月31日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 単結晶Ga2O3系基板と多結晶基板が接合され、 前記単結晶Ga2O3系基板の厚さが前記多結晶基板の厚さよりも薄く、 前記多結晶基板の破壊靱性値が前記単結晶Ga2O3系基板の破壊靱性値よりも高く、前記単結晶Ga2O3系基板の主面が(001)面であり、前記多結晶基板が多結晶SiC基板であり、前記単結晶Ga2O3系基板と前記多結晶基板の接合強度が8.3MPa以上である、 半導体基板。

IPC (7件)：

C30B 29/16 ( 200 6.01) ,  C30B 33/06 ( 200 6.01) ,  H01L 21/02 ( 200 6.01) ,  H01L 29/872 ( 200 6.01) ,  H01L 29/12 ( 200 6.01) ,  H01L 29/78 ( 200 6.01) ,  H01L 21/336 ( 200 6.01)

FI (9件)：

C30B 29/16 ,  C30B 33/06 ,  H01L 21/02 B ,  H01L 29/86 301 D ,  H01L 29/86 301 F ,  H01L 29/78 652 T ,  H01L 29/78 653 C ,  H01L 29/78 652 G ,  H01L 29/78 658 K

引用特許：

審査官引用 (2件)

• Ga2O3系半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2015-166425   出願人：株式会社タムラ製作所, 国立研究開発法人情報通信研究機構
• 半導体基板の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2013-142151   出願人：株式会社豊田自動織機, 株式会社サイコックス, 独立行政法人産業技術総合研究所