特許

J-GLOBAL ID：202203014907107280

シロキサンの製造方法

発明者： 松本 和弘 ,  中島 裕美子 ,  佐藤 一彦
出願人/特許権者： 国立研究開発法人産業技術総合研究所
代理人 (1件)： 特許業務法人秀和特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2021-182669
公開番号（公開出願番号）：特開2022-025139
出願日： 2021年11月09日
公開日（公表日）： 2022年02月09日
要約：

【課題】Si-H基を有するシロキサンを効率良く製造する方法の提供。 【解決手段】イリジウム錯体の存在下、シラノール化合物とジヒドロシラン化合物又はトリヒドロシラン化合物を脱水素縮合させてSi-H基を有するシロキサンを生成する脱水素縮合工程を含む、シロキサンの製造方法。 【選択図】なし

請求項（抜粋）：

イリジウム錯体の存在下、下記式(A-1)~(A-3)の何れかで表されるシラノールと下記式(B-1)~(B-2)の何れかで表されるヒドロシランを脱水素縮合させてSi-H基を有するシロキサンを生成する脱水素縮合工程を含み、 前記イリジウム錯体が、クロロビス(シクロオクテン)イリジウム(I)ダイマーである、シロキサンの製造方法。

IPC (2件)：

C07F 7/08 ,  C07F 7/18

FI (2件)：

C07F7/08 X ,  C07F7/18 X

Fターム (22件)：

4H039CA92 ,  4H039CD10 ,  4H049VN01 ,  4H049VP02 ,  4H049VP03 ,  4H049VP04 ,  4H049VQ02 ,  4H049VQ07 ,  4H049VQ20 ,  4H049VQ78 ,  4H049VR11 ,  4H049VR22 ,  4H049VR23 ,  4H049VR41 ,  4H049VR42 ,  4H049VR44 ,  4H049VS02 ,  4H049VS07 ,  4H049VS20 ,  4H049VT17 ,  4H049VW01 ,  4H049VW02

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 米国特許出願公開第2004/0127668号明細書
  
• シロキサン化合物の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2014-127715   出願人：国立研究開発法人産業技術総合研究所
• シロキサン化合物の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2014-076446   出願人：国立研究開発法人産業技術総合研究所, 国立大学法人群馬大学
• 米国特許出願公開第2013/0079539号明細書
  

審査官引用 (3件)

• シロキサン化合物の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2014-127715   出願人：国立研究開発法人産業技術総合研究所
• 金属触媒の存在下に脱水素縮合によって架橋できるシリコーン組成物
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2006-516327   出願人：ロディア・シミ
• 金属触媒の存在下で脱水素縮合により架橋可能なシリコーン組成物
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2003-584161   出願人：ロディア・シミ

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Epigenetics & Chromatin, 2012, vol.5:9, p.1-18