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J-GLOBAL ID：202302215722477299   整理番号：23A3148457

2次元ファンデルワールス物質の新展開 IV.量子物性 複数層の遷移金属ダイカルコゲナイドで発現するサブバンド量子化物性

New Trends in Two-Dimensional van der Waals Materials: IV. Quantum physical properties: Quantized subbands in few-layer transition metal dichalcogenide

著者 (4件)： 守谷頼 (東大 生産技研) ,  木下圭 (東大 生産技研) ,  町田友樹 (東大 生産技研) ,  笹川崇男 (東京工大 科学技術創成研究院)
資料名： 固体物理  (Solid State Physics)
巻： 58  号： 11  ページ： 699-708  発行年： 2023年11月15日 
JST資料番号： F0158B  ISSN： 0454-4544  CODEN： KOTBA2  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ・ファンデルワールス界面は原子間結合を持たないので,界面準位の形成や原子拡散の影響を受けない上に材料間の格子整合を必要としないので,異なる格子定数や格子系を組み合わせたヘテロ構造が作製可。
・WSe₂のバンド構造について層数とバンド構造の関係を示し,波動関数の面直方向成分が定在波を形成し,エネルギーが離散化するサブバンド量子化を提示。
・4層WSe₂/複数層h-BN/4層WSe₂のトンネル接合を持つファンデルワールス2重量子井戸の素子構造を示し,p⁺-MoS₂へAu/Pdを蒸着させてオーミック電極を形成。
・WSe₂とh-BN間で24%の大きな格子不整合があるが,問題なくヘテロ接合が可能で,300Kと2Kで電流-電圧特性を測定し,正孔の4本の共鳴トンネルピークを観測。
・共鳴トンネル電流のゲート電圧依存性,温度依存性を示し,PVR値(ピーク電流値/バレー電流値)は大きく,また2つの電極のサイスト角度を完全に揃える必要がなく素子作製可能。

シソーラス用語： *セレン化物 ,  *タングステン化合物 ,  多層膜 ,  *van der Waals力 ,  *バンド構造 ,  固体素子 ,  *電流電圧特性 ,  *多重量子井戸 ,  格子不整合 ,  ヘテロ接合 ,  *窒化ホウ素 ,  電極 ,  *共鳴トンネル効果 ,  トンネル素子 ,  サブバンド
準シソーラス用語： オーミック電極 ,  サブバンド構造 ,  二重量子井戸

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： 2次元 ,  物質 ,  展開 ,  量子物性 ,  遷移金属ダイカルコゲナイド ,  サブバンド ,  量子化 ,  物性