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J-GLOBAL ID：202302215908901950   整理番号：23A3033508

ワイル半金属候補物質EuCd₂As₂の薄膜作製による低キャリア濃度化

Fabrication of low-carrier-density films of Weyl semimetal candidate EuCd₂As₂

著者 (8件)： 西早辰一 (東京工大 理) ,  中村彩乃 (東京工大 理) ,  大野瑞貴 (東大 工) ,  KRIENER Markus (理研 CEMS) ,  渡辺悠斗 (東京工大 理) ,  川崎雅司 (東大 工) ,  川崎雅司 (理研 CEMS) ,  打田正輝 (東京工大 理)
資料名： 日本物理学会講演概要集(CD-ROM)  (日本物理学会春季大会講演概要集(CD-ROM))
巻： 78  号： 2  ページ： ROMBUNNO.16aA106-2  発行年： 2023年09月25日 
JST資料番号： S0671C  ISSN： 2189-079X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 磁性を持つワイル半金属では、ワイル点に由来した巨大なベリー位相や電荷・磁化の特異な結合により様々な量子輸送現象が予測され、より単純なバンド構造を持つ候補物質での検証が期待されている。磁性ワイル半金属候補物質の中でも、EuCd2As2はΓ点周...【本文一部表示】

シソーラス用語： *カドミウム化合物 ,  *ユウロピウム化合物 ,  *ヒ化物 ,  *MBE成長 ,  *絶縁体 ,  *薄膜 ,  キャリア密度 ,  *濃度
準シソーラス用語： *低キャリア濃度

分類 (1件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (4件)： ワイル半金属 ,  物質 ,  薄膜作製 ,  キャリア濃度