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J-GLOBAL ID：202302220891916542   整理番号：23A2515349

高密度収束プラズマスパッタリング装置を用いて作製した窒化ガリウム薄膜の結晶性への放電パルス長の影響

Effect of discharge pulse length on GaN film crystallization by high-density convergent plasma sputtering device

著者 (6件)： 御園樹 (久留米工高専) ,  本村大成 (産業技術総合研) ,  奥山哲也 (久留米工高専) ,  上原雅人 (産業技術総合研) ,  田原竜夫 (産業技術総合研) ,  工藤昌輝 (九大)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 70th  ページ： ROMBUNNO.17p-PB07-11  発行年： 2023年02月27日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

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シソーラス用語： X線回折 ,...

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分類 (3件)： 生体膜一般  (EF04010G) ,  蛋白質・ペプチド一般  (EB03010N) ,  固体レーザ  (BD04080W)

タイトルに関連する用語 (9件)： 収束 ,  プラズマ ,  スパッタリング装置 ,  作製 ,  窒化ガリウム ,  薄膜 ,  結晶性 ,  放電 ,  パルス長