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J-GLOBAL ID：202302228862520061   整理番号：23A0535341

電界効果トランジスタ用いたキャリア注入による磁性トポロジカル絶縁体FeドープBiSbTe₂Seの表面状態の探索

Investigating the Surface States of Magnetically-doped Topological Insulator Fe-Doped BiSbTe₂Se with Carrier Doping by Field-Effect Transistor

著者 (5件)： 反田剛 (名古屋大 工) ,  矢野力三 (名古屋大 工) ,  廣瀬陽代 (東京工大 フロンティア創造共同研セ) ,  笹川崇男 (東京工大 フロンティア創造共同研セ) ,  柏谷聡 (名古屋大 工)
資料名： 日本物理学会講演概要集(CD-ROM)  (日本物理学会春季大会講演概要集(CD-ROM))
巻： 77  号： 2  ページ： ROMBUNNO.13pPSB-30  発行年： 2022年09月26日 
JST資料番号： S0671C  ISSN： 2189-079X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 磁性をドープしたトポロジカル絶縁体はギャップの開いたディラックコーンやギャップレスなカイラルエッジ状態など、特異な表面状態を保持している。この表面状態に起因して量子異常ホール効果などの新奇物理現象の舞台となることが期待されている。我々は...【本文一部表示】

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  *キャリア注入 ,  *トポロジカル絶縁体 ,  鉄 ,  ドーピング ,  ビスマス化合物 ,  アンチモン化合物 ,  テルル化物 ,  セレン化物 ,  表面構造 ,  電気抵抗率 ,  電気伝導率 ,  *Fermi準位 ,  磁性 ,  *表面準位 ,  トポロジカル表面状態 ,  構造
準シソーラス用語： *電界効果トランジスタ ,  *表面フェルミ準位

分類 (1件)： 表面の電子構造  (BM02080J)

タイトルに関連する用語 (7件)： 電界効果トランジスタ ,  キャリア注入 ,  磁性 ,  トポロジカル絶縁体 ,  Fe ,  ドープ ,  探索