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J-GLOBAL ID：202302231776960834   整理番号：23A2513740

非晶質Ge/Mg/SiO₂積層構造の固相成長

Solid phase crystallization of amorphous Ge/Mg/SiO₂ stacked structure

著者 (6件)： 森本敦己 (熊本高専) ,  平井杜和 (熊本高専) ,  高細工彩斗 (熊本高専) ,  小嶺龍生 (熊本高専) ,  高倉健一郎 (熊本高専) ,  角田功 (熊本高専)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 70th  ページ： ROMBUNNO.16a-D511-7  発行年： 2023年02月27日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 【背景】近年,金属触媒を用いた固相成長法が広く研究されている[1].今回我々は,非晶質Ge/Mg/SiO2積層構造の固相成長過程について評価を行なったので報告する.【実験方法】SiO2基板上に真空蒸着法によりMg薄膜(100 nm厚)を成膜...【本文一部表示】

シソーラス用語： Ramanスペクトル ,  真空蒸着 ,  熱処理 ,  薄膜 ,  励起 ,  *ゲルマニウム ,  *マグネシウム ,  *二酸化ケイ素 ,  *非晶質 ,  *固相成長 ,  スパッタ蒸着 ,  Raman分光分析 ,  金属触媒 ,  薄膜形成 ,  熱処理温度

分類 (3件)： レーダ  (ND13010H) ,  その他の光デバイス  (BD06060O) ,  レーザの応用  (BD04100V)

タイトルに関連する用語 (6件)： 非晶質 ,  Ge ,  Mg ,  SiO2 ,  積層構造 ,  固相成長