研究者
J-GLOBAL ID:200901024077097141
更新日: 2024年10月28日
高倉 健一郎
タカクラ ケンイチロウ | Takakura Kenichiro
所属機関・部署:
職名:
准教授
研究キーワード (1件):
半導体デバイス放射線損傷
競争的資金等の研究課題 (10件):
- 2023 - 2026 データ駆動科学によるシリサイド大型結晶開発と高効率熱光発電セルへの応用
- 2019 - 2022 原子力発電所等高放射線環境下で動作可能な電子回路の開発
- 2017 - 阿蘇の天然資源を用いた低コスト排ガス処理用触媒の開発
- 2013 - 2016 酸化ガリウムを利用したフレキシブル薄膜トランジスタの形成
- 2005 - 2007 先端半導体材料とデバイスの放射線損傷機構
- 2005 - 2007 半導体デバイスの放射線照射損傷における高温照射効果
- 2005 - 2007 酸化ガリウムへのドーピングによる透明電極膜の導電率向上
- 2002 - 2004 半導体デバイスの高・低温放射線照射に関する研究
- 2002 - 半導体デバイスの放射線損傷に関する研究
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論文 (42件):
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Kenichiro Takakura, Kensuke Matsumoto, Kousei Tateishi, Masashi Yoneoka, Isao Tsunoda, Shigekazu Suzuki, Shinji Kawatsuma. Assessment of Radiation Tolerance of Flash Memory by γ-Ray Irradiation. J. Robotics Mechatronics. 2024. 36. 1. 88-94
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Atsuki Morimoto, Towa Hirai, Ayato Takazaiku, Yo Eto, Hajime Kuwazuru, Kenichiro Takakura, Isao Tsunoda. Enhancement of Mg-induced lateral crystallization of amorphous germanium on an insulating substrate by two-step annealing. Japanese Journal of Applied Physics. 2024. 63. 2. 02SP50-02SP50
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Kouki Fukushima, Naoki Mizunuma, Tatsuya Uematsu, Kyoko Shimizu, Takehiro Ota, Isao Tsunoda, Masashi Yoneoka, Haruhiko Udono, Kenichiro Takakura. Study of deep levels in the Mg2Si grown by vertical Bridgeman method. Japanese Journal of Applied Physics. 2022. 62. SD. SD1012-SD1012
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Kazuaki Sumi, Noboru Shimizu, Kenichiro Takakura, Isao Tsunoda. Low temperature formation of high-quality crystalline Ge (1 1 1) by improving Au catalyst crystallinity. Journal of Crystal Growth. 2021. 572. 126270-126270
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Maria Glória Caño de Andrade, Luis Felipe de Oliveira Bergamim, Braz Baptista Júnior, Carlos Roberto Nogueira, Fábio Alex da Silva, Kenichiro Takakura, Bertrand Parvais, Eddy Simoen. Low-Frequency noise investigation of AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors. Solid-State Electronics. 2021. 183. 108050-108050
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MISC (334件):
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キャリア密度を変化させた n-Mg2Si 単結晶におけるキャリア捕獲準位の検討. 2024
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非晶質 Ge 薄膜の Mg 誘起横方向成長における高圧下熱処理の影響. 第43回電子材料シンポジウム. 2024
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非晶質 Ge/Mg/SiO2積層構造の固相成長. 第43回電子材料シンポジウム. 2024
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中原大葉,高倉健一郎,角田功. 高圧下熱処理による Mg 誘起固相成長 Ge 薄膜の結晶性向上. 2024
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高細工 彩斗,高倉 健一郎,角田 功. 絶縁基板上における非晶質 Ge 薄膜の Mg 誘起結晶成長(3). 2024
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特許 (4件):
学歴 (2件):
- - 2002 筑波大学 工学研究科 物質工学専攻
- - 2002 筑波大学
学位 (1件):
経歴 (6件):
所属学会 (1件):
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