高倉健一郎

タカクラケンイチロウ | Takakura Kenichiro

所属機関・部署：
職名：准教授

研究分野 (1件)：電子デバイス、電子機器

研究キーワード (1件)：半導体デバイス放射線損傷

競争的資金等の研究課題 (2件)：

論文 (22件)：

MISC (293件)：

西嶋泰樹, 浜崎健, 草野欽太, 高倉健一郎, 角田功. Au誘起横方向成長により形成した低温結晶化Ge薄膜の結晶性評価. 応用物理学会九州支部学術講演会講演予稿集(Web). 2018. 44. 47 (WEB ONLY)
濱崎健, 坂井拓也, 角和章, 高倉健一郎, 角田功. Au誘起横方向成長した結晶Ge内のAu濃度評価. 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2018. 79th. ROMBUNNO.18a-235-7
鹿子木嘉城, 佐藤亮起, 西嶋泰樹, 小川大輔, 高倉健一郎, 角田功. 非晶質Ge/SiO₂のSn誘起横方向低温(≦200°C)固相成長. 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2018. 79th. ROMBUNNO.18a-235-6
高倉健一郎, 登田晃浩, 松木賢斗, 松本翼, 徳田規夫. ダイヤモンドショットキーPNダイオードの低温動作. 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2018. 65th. ROMBUNNO.18p-F206-11
清水昇, 森貴礼, 岡本健人, 坂井拓也, 高倉健一郎, 角田功. 2段階熱処理による結晶Ge/Au/SiO₂積層構造の低温形成. 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2018. 65th. ROMBUNNO.20p-F214-3

特許 (3件)：

学歴 (2件)：

学位 (1件)：

経歴 (4件)：

所属学会 (1件)：

応用物理学会

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高倉 健一郎