研究者
J-GLOBAL ID:200901024077097141   更新日: 2024年05月27日

高倉 健一郎

タカクラ ケンイチロウ | Takakura Kenichiro
所属機関・部署:
職名: 准教授
研究分野 (1件): 電子デバイス、電子機器
研究キーワード (1件): 半導体デバイス放射線損傷
競争的資金等の研究課題 (10件):
  • 2023 - 2026 データ駆動科学によるシリサイド大型結晶開発と高効率熱光発電セルへの応用
  • 2019 - 2022 原子力発電所等高放射線環境下で動作可能な電子回路の開発
  • 2017 - 阿蘇の天然資源を用いた低コスト排ガス処理用触媒の開発
  • 2013 - 2016 酸化ガリウムを利用したフレキシブル薄膜トランジスタの形成
  • 2005 - 2007 先端半導体材料とデバイスの放射線損傷機構
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論文 (42件):
  • Kenichiro Takakura, Kensuke Matsumoto, Kousei Tateishi, Masashi Yoneoka, Isao Tsunoda, Shigekazu Suzuki, Shinji Kawatsuma. Assessment of Radiation Tolerance of Flash Memory by γ-Ray Irradiation. J. Robotics Mechatronics. 2024. 36. 1. 88-94
  • Atsuki Morimoto, Towa Hirai, Ayato Takazaiku, Yo Eto, Hajime Kuwazuru, Kenichiro Takakura, Isao Tsunoda. Enhancement of Mg-induced lateral crystallization of amorphous germanium on an insulating substrate by two-step annealing. Japanese Journal of Applied Physics. 2024. 63. 2. 02SP50-02SP50
  • Kouki Fukushima, Naoki Mizunuma, Tatsuya Uematsu, Kyoko Shimizu, Takehiro Ota, Isao Tsunoda, Masashi Yoneoka, Haruhiko Udono, Kenichiro Takakura. Study of deep levels in the Mg2Si grown by vertical Bridgeman method. Japanese Journal of Applied Physics. 2022. 62. SD. SD1012-SD1012
  • Kazuaki Sumi, Noboru Shimizu, Kenichiro Takakura, Isao Tsunoda. Low temperature formation of high-quality crystalline Ge (1 1 1) by improving Au catalyst crystallinity. Journal of Crystal Growth. 2021. 572. 126270-126270
  • Maria Glória Caño de Andrade, Luis Felipe de Oliveira Bergamim, Braz Baptista Júnior, Carlos Roberto Nogueira, Fábio Alex da Silva, Kenichiro Takakura, Bertrand Parvais, Eddy Simoen. Low-Frequency noise investigation of AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors. Solid-State Electronics. 2021. 183. 108050-108050
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MISC (326件):
  • 高倉 健一郎. 研究グループ 紹介:熊本高等専門学校 電子材料・デバイス研究部. 電気学会論文誌. A. 2023. 143. 6. NL6_4-NL6_4
  • 角田功, 高倉健一郎. 絶縁基板上における非晶質Ge薄膜の金属誘起横方向成長. 電子情報通信学会技術研究報告(Web). 2023. 123. 8(SDM2023 1-17)
  • 森本敦己, 平井杜和, 高細工彩斗, 小嶺龍生, 高倉健一郎, 角田功. 非晶質Ge/Mg/SiO2積層構造の固相成長. 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2023. 70th
  • 森本敦己, 阿部陸斗, 平井杏奈, 平井杜和, 高倉健一郎, 角田功. 非晶質Ge薄膜のMg誘起横方向成長におけるMg拡散量の評価. 電子情報通信学会技術研究報告(Web). 2022. 122. 8(SDM2022 1-13)
  • 森本敦己, 阿部陸斗, 平井杏奈, 平井杜和, 高倉健一郎, 角田功. 非晶質Ge/SiO2のMg誘起横方向成長に及ぼすMg拡散の影響. 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2022. 69th
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特許 (4件):
学歴 (2件):
  • - 2002 筑波大学 工学研究科 物質工学専攻
  • - 2002 筑波大学
学位 (1件):
  • 博士(工学) (筑波大学)
経歴 (5件):
  • 2020/04 - 現在 独立行政法人国立高等専門学校機構 電子情報システム工学系 准教授
  • 2009/04 - 2020/03 熊本高等専門学校 情報通信エレクトロニクス工学科 准教授
  • 2007/04 - 2009/03 熊本電波工業高等専門学校 電子工学科 准教授
  • 2006/04 - 2007/03 熊本電波工業高等専門学校 電子工学科 助教授
  • 2002/04 - 2006/03 - 熊本電波工業高等専門学校 電子工学科 助手
所属学会 (1件):
応用物理学会
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