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J-GLOBAL ID：202302232685774832   整理番号：23A2513600

高周波反射測定を用いたnMOSシリコン量子ドットの電荷ノイズ評価

Characterization of Charge Noise in an nMOS Si Quantum Dot using RF Reflectometry

著者 (10件)： 荒川雄登 (東京工大) ,  中越一真 (東京工大) ,  松岡竜太郎 (東京工大) ,  土屋龍太 (日立研開) ,  峰利之 (日立研開) ,  久本大 (日立研開) ,  水野弘之 (日立研開) ,  溝口来成 (東京工大) ,  米田淳 (東京工大) ,  小寺哲夫 (東京工大)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 70th  ページ： ROMBUNNO.16a-A403-2  発行年： 2023年02月27日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

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シソーラス用語： *雑音 ,...
準シソーラス用語： 高精度化

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分類 (5件)： 蛋白質・ペプチド一般  (EB03010N) ,  遺伝子操作  (EC02050B) ,  不純物・欠陥の電子構造  (BM02100I) ,  気体放電  (BJ03020T) ,  原子と光子の相互作用  (BH03060F)

タイトルに関連する用語 (7件)： 高周波 ,  NMOS ,  シリコン ,  量子ドット ,  電荷 ,  ノイズ ,  評価