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J-GLOBAL ID：202302236201634331   整理番号：23A3034613

La_2-xSr_xCuO₄における化学ポテンシャルシフトのドーピング依存性及び温度依存性

Doping and temperature dependence of chemical potential shift in La_2-xSr_xCuO₄

著者 (10件)： 長本備大 (京大) ,  石田達拡 (京大) ,  大槻太毅 (京大) ,  高木康多 (SPring-8/JASRI) ,  保井晃 (SPring-8/JASRI) ,  藤森淳 (国立清華大) ,  藤森淳 (東大 理) ,  小宮世紀 (電力中研) ,  安藤陽一 (ケルン大) ,  吉田鉄平 (京大)
資料名： 日本物理学会講演概要集(CD-ROM)  (日本物理学会春季大会講演概要集(CD-ROM))
巻： 78  号： 2  ページ： ROMBUNNO.17pA404-4  発行年： 2023年09月25日 
JST資料番号： S0671C  ISSN： 2189-079X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 銅酸化物高温超伝導体の超伝導機構を理解する上で、反強磁性モット絶縁相がキャリアドーピングによってどのように金属化するかは重要な問題である。特にキャリアドーピングに伴い化学ポテンシャルがin-gap stateに固定されているのか、あるいは...【本文一部表示】

シソーラス用語： *銅酸化物超伝導体 ,  酸素酸塩 ,  銅化合物 ,  絶縁体 ,  *キャリア注入 ,  ドーピング ,  ランタン化合物 ,  ストロンチウム ,  *化学ポテンシャル ,  温度依存性 ,  効果 ,  キャリア密度 ,  キャリアドーピング ,  ドーピング効果 ,  *反強磁性秩序 ,  Mott-Hubbard絶縁体 ,  正孔濃度
準シソーラス用語： Mott絶縁体 ,  ホール濃度

分類 (1件)： 酸化物系超伝導体の物性  (BM04023I)

タイトルに関連する用語 (5件)： 化学ポテンシャル ,  シフト ,  ドーピング ,  依存性 ,  温度依存性