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J-GLOBAL ID：202302239217513000   整理番号：23A0206171

pMOSシリコン量子ドットにおける電荷ノイズの温度依存性評価

Evaluating the Temperature Dependence of Charge Noise in a pMOS Si Quantum Dot

著者 (8件)： 中越一真 (東京工大) ,  土屋龍太 (日立) ,  峰利之 (日立) ,  久元大 (日立) ,  水野弘之 (日立) ,  溝口来成 (東京工大) ,  米田淳 (東京工大) ,  小寺哲夫 (東京工大)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 83rd  ページ： ROMBUNNO.22a-A102-5  発行年： 2022年08月26日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 次世代計算機である量子コンピュータを実現する系として、シリコン量子ドット中のキャリアのスピン状態を利用するシリコン量子ビットは、コヒーレンス時間が長いなどの利点から注目されている。しかし、シリコン量子ドットに生じる電荷ノイズは量子ビット操作...【本文一部表示】

シソーラス用語： 活性化エネルギー ,  *雑音 ,  *電荷 ,  *ケイ素 ,  雑音指数 ,  *温度依存性 ,  1/f雑音 ,  LF【周波数】 ,  二準位系 ,  *量子ドット ,  コンダクタンス ,  量子コンピュータ ,  量子ビット ,  コヒーレンス時間
準シソーラス用語： 雑音スペクトル , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 量子光学一般  (BD04010X)

タイトルに関連する用語 (7件)： PMOS ,  シリコン ,  量子ドット ,  電荷 ,  ノイズ ,  温度依存性 ,  評価