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J-GLOBAL ID：202302243820300422   整理番号：23A0467588

大気圧化学気相堆積法によるサファイア基板上へのβ-Ga₂O₃及びZnGa₂O₄薄膜成長とフォトルミネッセンス特性

Atmospheric-pressure Chemical Vapor Deposition of β-Ga₂O₃ and ZnGa₂O₄ Thin Films on Sapphire Substrates and Their Photoluminescence Properties

著者 (3件)： 浜園龍一 (愛媛大) ,  寺迫智昭 (愛媛大) ,  矢木正和 (香川高専)
資料名： 電気・電子・情報関係学会四国支部連合大会講演論文集(CD-ROM)  (Shikoku-Section Joint Convention Record of the Institutes of Electrical and Related Engineers (CD-ROM))
巻： 2022  ページ： ROMBUNNO.11-7  発行年： 2022年09月17日 
JST資料番号： L1738B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 1.序論.β-Ga2O3は~4.9eVのバンドギャップエネルギーを有し,通常n型伝導性を示す.他の酸化物半導体と同様に多彩な機能性を有するが,特にパワーデバイス分野での応用が期待されている材料である.一方,ZnGa2O4は,4.4~5.0e...【本文一部表示】

シソーラス用語： X線回折 ,  金属 ,  走査電子顕微鏡 ,  *薄膜 ,  *光ルミネセンス ,  ボート ,  スペクトル ,  電子技術 ,  透過率 ,  表示装置 ,  *化学蒸着 ,  *薄膜成長 ,  キャリアガス ,  表面形態 ,  ガス流量

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (6件)： 大気圧 ,  化学気相堆積 ,  サファイア基板 ,  β-Ga2O3 ,  薄膜成長 ,  フォトルミネッセンス