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J-GLOBAL ID：202302248723435654   整理番号：23A2521039

(Bi,In)/Si(111)表面の原子構造

Atomic structure of (Bi,In)/Si(111) surface

著者 (4件)： 瓜生瞳美 (東工大 物質理工) ,  長尾俊祐 (東工大 物質理工) ,  平山博之 (東京工大 理) ,  中辻寛 (東工大 物質理工)
資料名： 日本物理学会講演概要集(CD-ROM)  (Meeting Abstracts of the Physical Society of Japan (CD-ROM))
巻： 78  号： 1  ページ： ROMBUNNO.22pPSJ-8  発行年： 2023年03月23日 
JST資料番号： S0671C  ISSN： 2189-079X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： スピントロニクス応用に不可欠なスピン偏極電流を実現するためには、金属的な電子状態が必要となる。金属的な電子状態を持つSi(111)4×1 - In表面と大きなスピン軌道相互作用を持つBiを組み合わせることにより、金属的かつスピン分裂を持った...【本文一部表示】

シソーラス用語： 結晶面 ,  表面構造 ,  *ビスマス ,  *インジウム ,  金属性 ,  スピン分極 ,  *低温 ,  *蒸着 ,  低速電子回折 ,  走査型トンネル顕微鏡 ,  Rashba効果 ,  *液体窒素温度 ,  *シリコン(111) ,  構造
準シソーラス用語： *Si(111)

分類 (1件)： 薄膜成長技術・装置  (BK14020I)

タイトルに関連する用語 (3件)： Bi ,  Si ,  原子構造