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J-GLOBAL ID:202302262018202634   整理番号:23A3034963

トポロジカル絶縁体FeドープBiSbTe2Seの磁場中輸送特性と表面電子状態

Surface Electronic State of Topological Insulator Fe-doped BiSbTe2Se Observed in the Transport Properties in Magnetic Fields
著者 (8件):
資料名:
巻: 78  号:ページ: ROMBUNNO.18aA202-9  発行年: 2023年09月25日 
JST資料番号: S0671C  ISSN: 2189-079X  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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トポロジカル絶縁体BiSbTe2Seに磁性元素のFeをドープした試料の表面では、トンネル分光測定により時間反転対称性の破れを示唆するエネルギーギャップが観測されており[1]、カイラルエッジ状態に起因する現象が期待される。そこで本研究では、輸...【本文一部表示】
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分類 (1件):
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半導体と絶縁体の電気伝導一般 

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