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J-GLOBAL ID：202302262425515455   整理番号：23A0407141

Pt/Nb:SrTiO₃ショットキー接合の巨大抵抗変化におけるPt電極への不純物効果と光電子分光評価

Colossal Electroresistance, impurity effect, and Photoemission Spectroscopy in Pt/Nb:SrTiO₃ Schottky Junctions

著者 (5件)： 大澤健男 (物質・材料研究機構) ,  上田茂典 (物質・材料研究機構) ,  大橋直樹 (物質・材料研究機構) ,  保井晃 (高輝度光科学研究セ) ,  石垣隆正 (法政大)
資料名： 日本セラミックス協会秋季シンポジウム講演予稿集(Web)
巻： 35th  ページ： ROMBUNNO.2M04 (WEB ONLY)  発行年： 2022年09月07日 
JST資料番号： L2240C  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *半導体金属接合 ,  チタン酸ストロンチウム ,  ニオブ化合物 ,  白金 ,  電気抵抗 ,  電流電圧特性 ,  白金電極 ,  現象 ,  記憶素子 ,  記憶装置 ,  効果 ,  酸化還元反応 ,  RAM【メモリ】 ,  *Schottky接合 ,  抵抗変化メモリ
準シソーラス用語： CER現象 ,  抵抗メモリ ,  抵抗変化型メモリ ,  不純物効果

分類 (1件)： 半導体-金属接触  (BM03084G)

タイトルに関連する用語 (7件)： Pt ,  Nb ,  ショットキー接合 ,  抵抗変化 ,  不純物効果 ,  光電子分光 ,  評価