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J-GLOBAL ID：202302272677700795   整理番号：23A2173072

ゲート磁気結合トランスとコンデンサを併用したSiC-MOSFET/SiC-SBDスイッチング素子の直列駆動に関する研究

Study on Driving Technique for Series-connected SiC-MOSFET/SiC-SBD Switching Devices Using Gate-magnetic-coupling Transformer and Capacitor

著者 (6件)： 石井一輝 (東京工大) ,  神田大毅 (東京工大) ,  浦壁隆浩 (東京工大) ,  萩原誠 (東京工大) ,  糸川祐樹 (三菱電機) ,  檜垣優介 (三菱電機)
資料名： 電気学会研究会資料(Web)  (Papers of Technical Meeting, IEE Japan (Web))
号： SPC-23-160-176.178-181 半導体電力変換研究会  ページ： 43-48 (WEB ONLY)  発行年： 2023年07月17日 
JST資料番号： U2358A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 本稿は,駆動技術に焦点を当て,3.3kV/750A定格を有する直列接続SiC-MOSFET/SiC-SBDの性能について述べる。直列接続SiC-MOSFET/SiC-SBDでは,電圧不平衡はゲート抵抗,ゲート信号伝送,ゲート電圧およびMOSFET閾値電圧の違いにより電圧不平衡が発生する。過電圧からスイッチング素子を保護するために,電圧不均衡は減衰される必要がある。本稿は,ゲート磁気結合トランスとドレイン及びソース端子の間に接続された外部コンデンサを適用することにより,電圧不平衡を低減することを試みる。提案方法の有効性と有用性は実験により検証される。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： コンデンサ ,  変圧器 ,  *MOSFET ,  *Schottky障壁ダイオード ,  スイッチング素子 ,  ゲート回路 ,  直列接続 ,  非平衡状態 ,  電圧 ,  過電圧 ,  閾値電圧
準シソーラス用語： *SBD【ダイオード】 ,  *SiC MOSFET ,  ゲート駆動回路 ,  ゲート磁気結合変圧器 ,  電圧不平衡

分類 (2件)： ダイオード  (NC03050R) ,  トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (10件)：

• C. Hu: “Optimal Doping Profile for Minimum Ohmic Resistance and High-Breakdown Voltage,” IEEE Trans. on Electron Devices, Vol. ED-26, No. 3, March 1979.
• Mario Schweizer and Thiago B. Soeiro: “Heatsink-less Quasi 3-level flying capacitor inverter based on low voltage SMD MOSFETs,” EPE’17 ECCE Europe, pp.1-10, 2017.
• P. R. Palmer and A. N. Githiari: “The series connection of IGBT’s with active voltage sharing,”IEEE Trans. Power Electron., Vol. 12, No. 4, July, pp. 637-644, 1997.
• I. Baraia, J. A. Barrena, G. Abad, J. M. C. Segade, and U. Iraola: “An experimentally verified active gate control method for the series connection of IGBT/diodes,”IEEE Trans. Power Electron., Vol. 27, No. 2, pp. 1025-1038, 2012.
• X. Wu, S. Cheng, Q. Xiao, and K. Sheng: “A 3600 V/80 A series-parallel connected silicon carbide MOSFETS module with a single external gate driver,”IEEE Trans. Power Electron., Vol. 29, No. 5, pp. 2296-2306, 2014.

タイトルに関連する用語 (11件)： ゲート ,  磁気結合 ,  トランス ,  コンデンサ ,  併用 ,  SiC ,  MOSFET ,  SBD ,  スイッチング素子 ,  直列 ,  研究