文献

J-GLOBAL ID：202302284703591402   整理番号：23A2521844

Si(111)√3×√3-Ag表面上Bi(110)超薄膜の電子状態

著者 (8件)： 長尾俊佑 (東工大 物質理工) ,  大内拓実 (東工大 物質理工) ,  瓜生瞳美 (東工大 物質理工) ,  織田孝幸 (東工大 物質理工) ,  飯盛拓嗣 (東大 物性研) ,  小森文夫 (東工大 物質理工) ,  平山博之 (東京工大 理) ,  中辻寛 (東工大 物質理工)
資料名： 日本物理学会講演概要集(CD-ROM)  (Meeting Abstracts of the Physical Society of Japan (CD-ROM))
巻： 78  号： 1  ページ： ROMBUNNO.24aJ1-1  発行年： 2023年03月23日 
JST資料番号： S0671C  ISSN： 2189-079X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 2原子層、4原子層膜厚のBi(110)超薄膜は電子がドープされることで表面の端のみにスピン偏極した金属的な電子状態をもつ二次元トポロジカル絶縁体になることが第一原理計算から予測されている。我々はこれま...【本文一部表示】

シソーラス用語： ケイ素 ,  銀 ,  表面 ,  ビスマス ,  *超薄膜 ,  *電子状態 ,  分散【dispersion】 ,  *トポロジカル絶縁体 ,  バンド分散

分類 (2件)： 表面の電子構造  (BM02080J) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (5件)： Si ,  Ag ,  Bi ,  薄膜 ,  電子状態