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J-GLOBAL ID：202302287785950475   整理番号：23A0205144

Q値350万をもつCMOS互換プロセスで作製されたナノ共振器

Silicon Nanocavity by CMOS process with a Q factor of 3.5 million

著者 (10件)： 桂正晃 (大阪公大 院) ,  太田雄士 (大阪公大 院) ,  三橋凌太 (京大 大学院) ,  岡野誠 (産業技術総合研) ,  大塚実 (産業技術総合研) ,  関三好 (産業技術総合研) ,  横山信幸 (産業技術総合研) ,  浅野卓 (京大 大学院) ,  野田進 (京大 大学院) ,  高橋和 (大阪公大 院)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 83rd  ページ： ROMBUNNO.21a-A205-3  発行年： 2022年08月26日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 序論.数100万を越えるQ値を有するシリコン製2次元フォトニック結晶ナノ共振器は,超小型の光メモリ,シリコンラマンレーザ,空間電荷センサへの応用が期待されている[1-3].これらの研究で用いられた試料は,主に電子線描画法により作製されている...【本文一部表示】

シソーラス用語： *共振器 ,  光子 ,  格子定数 ,  励起 ,  ケイ素 ,  光学顕微鏡 ,  *Q値 ,  光学メモリ ,  導波路 ,  電子ビームリソグラフィー ,  フォトリソグラフィー ,  *微小共振器 ,  *CMOS ,  ヘテロ構造
準シソーラス用語： CMOSプロセス , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： レーダ  (ND13010H) ,  その他の光デバイス  (BD06060O) ,  量子光学一般  (BD04010X)

タイトルに関連する用語 (5件)： Q値 ,  CMOS ,  プロセス ,  作製 ,  ナノ共振器