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J-GLOBAL ID:202302290759082305   整理番号:23A0205782

マイクロ集光軟X線角度分解光電子分光によるワイドギャップ半導体h-BN薄片のバルク電子状態観測

Electronic structure of the wide-bandgap semiconductor h-BN measured by micro-focused soft x ray angle-resolved photoemission spectroscopy
著者 (11件):
資料名:
巻: 83rd  ページ: ROMBUNNO.23p-B203-11  発行年: 2022年08月26日 
JST資料番号: Y0055B  ISSN: 2758-4704  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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角度分解光電子分光(ARPES)は光電効果を利用して電子状態の直接観測を行う手法である。紫外線・X線の照射によって放出された光電子の運動量ベクトルとエネルギーから、固体結晶中での運動量と結合エネルギーの関係、いわゆるバンド分散を得ることがで...【本文一部表示】
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レーダ 

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