文献
J-GLOBAL ID:202402229045119496   整理番号:24A0235031

PEDOT:PSS/ZnOナノロッド/ZnO:Gaヘテロ接合におけるキャリア輸送機構

Carrier Transport Mechanisms in PEDOT:PSS/ZnO Nanorods/ZnO:Ga Heterostructures
著者 (3件):
資料名:
巻: 123  号: 288(ED2023 14-37)  ページ: 72-75 (WEB ONLY)  発行年: 2023年11月23日 
JST資料番号: U2030A  ISSN: 2432-6380  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
PEDOT:PSS/ZnOナノロッド(NRs)/ZnO:Ga(GZO)ヘテロ接合の順方向および逆方向電圧-電流(VI)特性でヒステリシスループが観察された.暗状態におけるFowler-Nordheim(F-N)プロットからは,低順方向電圧(VF)印加時および高VF印加時におけるPEDOT:PSS/ZnO NRs界面の双極子層を介したキャリア輸送は,それぞれ直接トンネリングとF-Nトンネリングによって支配されることが明らかになった.一方,中間VF印加時のキャリア輸送は,単一の浅いトラップ準位によって制御された空間電荷制限(SCL)伝導,トラップフリーSCL伝導,ガウス分布を有するトラップ準位によって制御されたトラップ準位充填制限伝導などのZnO NRs層中の伝導機構によって支配されていた.ヒステリシスループの発現は.ZnO NRs層中に注入された電子のトラップ準位における捕獲と離脱によるものである.注入電子の捕獲と離脱は,メモリー効果の発現にも寄与している.(著者抄録)
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

分類 (1件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
半導体と絶縁体の電気伝導一般 
引用文献 (11件):
  • T. Terasako, S. Obara, M. Yagi, J. Nomoto, T. Yamamoto, Structural and photoluminescence properties of ZnO nanorods grown on ion-plated Ga-doped ZnO seed layers by chemical bath deposition and fabrication of poly(3,4-ethylenedioxythiophene) poly(stylenesulfonate)/ZnO nanorods heterostructures, Thin Solid Films vol.677, pp.109-118, 2019.
  • L.O. Chua, Memristor-The Missing Circuit Element, IEEE Transaction on Circuit Theory, vol.CT-18, no.5, pp.507-519, September 1971.
  • W. Zhou, R. Yang, H.-K. He, H.-M. Huang, J. Xiong, X. Guo, Optically modulated electric synapse realized with memristors based on ZnO nanorods, Appl. Phys. Lett. vol.113, issue 6, art. no. 061107, August 2018.
  • A. Sawa, Resistive switching in transition metal oxides, Mater. Today, vol.11, no.6, pp.28-36, June 2008.
  • M. Nakano, A. Tsukazaki, R.Y. Gunji, K. Ueno, A. Ohtomo, T. Fukumura, M. Kawasaki, Schottky contact on a ZnO(0001) single crystal with conducting polymer, Appl. Phys. Lett. vol.93, issue 14, art. no. 142113, October 2007.
もっと見る

前のページに戻る