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J-GLOBAL ID:202402246608538332   整理番号:24A0690771

原子層堆積で作製したTiOx:Nb層によるTiOx/c-Siヘテロ構造のパッシベーション性能の向上

Improvement of Passivation Performance of TiOx/c-Si Heterostructure by Introducing TiOx:Nb layer in atomic layer deposition
著者 (9件):
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巻: 5th  ページ: 76  発行年: 2023年12月14日 
JST資料番号: L3188C  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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1.はじめに.高性能な結晶Si(c-Si)太陽電池を実現する方法として、c-Si表面をパッシベーションしつつ電子・正孔のどちらか一方を選択的に抽出可能な、キャリア選択性パッシベーティングコンタクト(CSC)の適用がある。その中でも、原子層堆...【本文一部表示】
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太陽電池 

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