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J-GLOBAL ID：202402247613154110   整理番号：24A1647894

アモルファスMo_xGe_1-x超伝導薄膜の磁場誘起量子相転移に対する乱れの効果

Disorder effects on the field-induced quantum phase transition in superconducting thin films of amorphous Mo_xGe_1-x

著者 (6件)： 江部薫 (東京工大 理) ,  家永紘一郎 (東京工大 理) ,  石上貴大 (東京工大 理) ,  橘武志 (東京工大 理) ,  金子真一 (東京工大 理) ,  大熊哲 (東京工大 理)
資料名： 日本物理学会講演概要集(CD-ROM)  (Meeting Abstracts of the Physical Society of Japan (CD-ROM))
巻： 79  号： 1  ページ： ROMBUNNO.20pPSF-5  発行年： 2024年03月22日 
JST資料番号： S0671C  ISSN： 2189-079X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 2次元超伝導体に垂直に磁場を印加し増加させると、超伝導秩序と局在効果の拮抗によって、絶対零度で超伝導-絶縁体間の量子相転移が生じる[1]。一方、比較的局在効果が弱いアモルファス(a-)MoxGe1-xの2次元膜では、中間の広い磁場領域で絶対...【本文一部表示】

シソーラス用語： *超伝導薄膜 ,  *モリブデン化合物 ,  ゲルマニウム化合物 ,  膜 ,  非晶質 ,  磁場効果 ,  *相転移 ,  臨界磁場 ,  超伝導 ,  転移温度 ,  残留抵抗 ,  熱電効果 ,  状態図 ,  磁場誘起 ,  上部臨界磁場 ,  *量子相転移

分類 (2件)： 金属系超伝導体の物性  (BM04022R) ,  相転移・臨界現象一般  (BL04010V)

タイトルに関連する用語 (5件)： アモルファス ,  超伝導薄膜 ,  磁場誘起 ,  量子相転移 ,  乱れ