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J-GLOBAL ID：202402248654156835   整理番号：24A1646882

Si(111)√3×√3-Ag基板上のBi超薄膜の表面構造と電子状態

著者 (8件)： 織田孝幸 (東京工大) ,  長尾俊佑 (東京工大) ,  笹川直希 (東京工大 理) ,  大内拓実 (東京工大) ,  飯盛拓嗣 (東大 物性研) ,  小森文夫 (東京工大) ,  平山博之 (東京工大 理) ,  中辻寛 (東京工大)
資料名： 日本物理学会講演概要集(CD-ROM)  (Meeting Abstracts of the Physical Society of Japan (CD-ROM))
巻： 79  号： 1  ページ： ROMBUNNO.18pPSJ-6  発行年： 2024年03月22日 
JST資料番号： S0671C  ISSN： 2189-079X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： Biは非放射性元素で強いスピン軌道相互作用を有しスピントロニクスの分野で注目されている。2原子層と4原子層のBi(110)超薄膜は電子をドープすると表面の端のみにスピン偏極した金属的な電子状態を持つ二次元トポロジカル...【本文一部表示】

シソーラス用語： ケイ素 ,  銀 ,  基板 ,  *超薄膜 ,  ビスマス ,  表面構造 ,  *電子状態 ,  スピン分極 ,  トポロジカル絶縁体 ,  顕微鏡観察 ,  走査型トンネル顕微鏡法 ,  構造

分類 (2件)： 表面の電子構造  (BM02080J) ,  金属の表面構造  (BK15020P)

タイトルに関連する用語 (6件)： Si ,  Ag ,  Bi ,  超薄膜 ,  表面構造 ,  電子状態