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J-GLOBAL ID：202402263549786051   整理番号：24A1646489

4H-SiC m面上1次元リップルグラフェンの作製と構造評価

Fabrication and structural analysis of 1D ripple graphene on 4H-SiC m-face.

著者 (7件)： 今村均 (九大 大学院) ,  VISIKOVSKIY Anton (九大 大学院) ,  碇智徳 (宇部工高専) ,  飯盛拓嗣 (東京工大) ,  中辻寛 (Tokyo Inst. of Tech.) ,  小森文夫 (東大 生産技研) ,  田中悟 (九大 大学院)
資料名： 日本物理学会講演概要集(CD-ROM)  (Meeting Abstracts of the Physical Society of Japan (CD-ROM))
巻： 79  号： 1  ページ： ROMBUNNO.18aJ1-2  発行年： 2024年03月22日 
JST資料番号： S0671C  ISSN： 2189-079X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： グラフェンに格子歪みを加えるとベクトルポテンシャルが導入され、電子状態が変調される。この時導入される場は擬磁場(Pseudo-Magnetic Field)と呼ばれる。擬磁場を導入する格子歪みの一つにグラフェンのリップル化が挙げられ、リップ...【本文一部表示】

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  *一次元 ,  グラフェン ,  走査型トンネル顕微鏡 ,  *表面構造 ,  転写 ,  *凹凸構造 ,  *構造
準シソーラス用語： *4H-SiC ,  STM【顕微鏡】

分類 (1件)： その他の無機化合物の結晶成長  (BK13060T)

タイトルに関連する用語 (4件)： 4H-SiC ,  1次元 ,  作製 ,  構造評価