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J-GLOBAL ID：202402274593420109   整理番号：24A0862696

トランス並列ダンピング方式とコンデンサを併用した直列素子の電圧アンバランス抑制方法

Voltage imbalance suppression method using damping method and capacitors for driving series-connected devices

著者 (6件)： 神田大毅 (東京工大) ,  石井一輝 (東京工大) ,  浦壁隆浩 (東京工大) ,  萩原誠 (東京工大) ,  糸川祐樹 (三菱電機) ,  檜垣優介 (三菱電機)
資料名： 電気学会全国大会講演論文集(CD-ROM)  (Annual Meeting Record, I.E.E. Japan (CD-ROM))
巻： 2024  ページ： ROMBUNNO.4-014  発行年： 2024年03月01日 
JST資料番号： S0653B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ・SiC-MOSFET直列接続ではドレイン・ソース間電圧アンバランスが発生し,ゲート磁気結合方式が改善に寄与するが,ゲート電圧振動による電圧アンバランスが課題。
・ゲート磁気結合とトランス並列ダンピング方式のゲート駆動回路にコンデンサ配置し,3.3kV/750A,SIC-MOSFET/SiC-SBDスイッチング素子を適用。
・ゲート磁気結合式では電圧アンバランス率の極性はオン時間とともに変動するが,提案方式では変動がなく,オン時間が短い領域において電圧アンバランス率を低減。

シソーラス用語： *MOSFET ,  直列接続 ,  *ゲート回路 ,  電磁結合 ,  スイッチング素子 ,  分布 ,  *減衰 ,  磁気結合 ,  ペントース ,  糖アルコール
準シソーラス用語： *SiC MOSFET ,  *ゲート駆動回路 ,  *ダンピング【減衰】 ,  電圧分布 ,  不均一分布

分類 (4件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  電子回路一般  (NC05010N) ,  電気量制御  (IC03020F) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

物質索引 (1件)： トランス

タイトルに関連する用語 (6件)： トランス ,  ダンピング ,  コンデンサ ,  併用 ,  直列 ,  アンバランス