特許

J-GLOBAL ID：202403007238815727

非爆発性混合ガス基質による水素細菌の培養装置、培養方法及び物質生産

発明者： 福居 俊昭 ,  中村 龍平
出願人/特許権者： 国立大学法人東京工業大学
代理人 (6件)： 青木 篤 ,  三橋 真二 ,  渡辺 陽一 ,  中島 勝 ,  池田 達則 ,  武居 良太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2022-200255
公開番号（公開出願番号）：特開2024-085636
出願日： 2022年12月15日
公開日（公表日）： 2024年06月27日
要約：

【課題】本発明は、非爆発性混合ガス基質による水素細菌の培養装置及び培養方法を提供することを目的とする。 【解決手段】本発明によれば、水素濃度を爆発下限以下に維持した、水素細菌を培養するための閉鎖気相循環培養装置であって、水電気分解による低濃度水素を発生させるための水素供給部;二酸化炭素供給部;空気供給部;水素細菌を培養するための培養液を含有する細胞培養リアクター;及び気相循環を確立するための循環流路を備えた閉鎖気相循環培養装置が提供される。さらに、本発明は、上記閉鎖気相循環培養装置の使用に基づく、水素濃度を爆発下限以下に維持した水素細菌の培養方法を提供する。 【選択図】図2A

請求項（抜粋）：

水素濃度を爆発下限以下に維持した、水素細菌を培養するための閉鎖気相循環培養装置であって、 水電気分解による低濃度水素を発生させるための水素供給部; 二酸化炭素供給部; 空気供給部; 水素細菌を培養するための培養液を含有する細胞培養リアクター;及び 気相循環を確立するための循環流路 を備えた閉鎖気相循環培養装置。

IPC (4件)：

C12M 1/00 ,  C12N 1/20 ,  C12P 7/625 ,  C12N 1/21

FI (5件)：

C12M1/00 D ,  C12M1/00 G ,  C12N1/20 A ,  C12P7/625 ,  C12N1/21

Fターム (26件)：

4B029AA02 ,  4B029BB02 ,  4B029CC01 ,  4B029DA03 ,  4B029DB13 ,  4B029DF04 ,  4B029DG10 ,  4B064AD83 ,  4B064CA02 ,  4B064CA19 ,  4B064CC01 ,  4B064CC24 ,  4B064CD01 ,  4B064DA20 ,  4B065AA01X ,  4B065AA15X ,  4B065AB01 ,  4B065AC14 ,  4B065AC20 ,  4B065BA01 ,  4B065BC01 ,  4B065BC25 ,  4B065BC50 ,  4B065BD50 ,  4B065CA12 ,  4B065CA60