文献

J-GLOBAL ID：202502211647802865   整理番号：25A3042819

硫黄雰囲気中アニールで窒素ドーピングした結晶WS₂膜のp型化

P-type nitrogen doping activated by sulfur-vapor annealing from crystalized WS₂ film

著者 (9件)： 寺岡楓 (東京科大) ,  伊東壮真 (東京科大) ,  JANG Jaehyo (東京科大) ,  松永尚樹 (東京科大) ,  野澤俊輔 (東京科大) ,  布施太翔 (東京科大) ,  星井拓也 (東京科大) ,  角嶋邦之 (東京科大) ,  若林整 (東京科大)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM))
巻： 86th  ページ： ROMBUNNO.10a-S102-2  発行年： 2025年 
JST資料番号： Y0054C  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 焼なまし ,...
準シソーラス用語： アニール

   このテーマを更に深掘りする（JDreamⅢへ）  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=25A3042819&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=Y0054C") }}

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： 硫黄 ,  雰囲気 ,  アニール ,  窒素ドーピング ,  結晶