文献

J-GLOBAL ID：202502216068593102   整理番号：25A3042773

H₂S中アニールによるPVD-WS₂薄膜の膜質改善

Quality Enhancement of PVD-WS₂ Thin Film using H₂S Annealing

著者 (10件)： 伊東壮真 (東京科大) ,  松永尚樹 (東京科大) ,  寺岡楓 (東京科大) ,  JANG Jaehyo (東京科大) ,  布施太翔 (東京科大) ,  野澤俊輔 (東京科大) ,  宗田伊理也 (東京科大) ,  星井拓也 (東京科大) ,  角嶋邦之 (東京科大) ,  若林整 (東京科大)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM))
巻： 86th  ページ： ROMBUNNO.7p-N302-5  発行年： 2025年 
JST資料番号： Y0054C  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 硫化水素 ,  焼なまし ,  物理蒸着 ,  *二硫化タングステン ,  *薄膜 ,  高品質 ,  結晶度 ,  電気的性質
準シソーラス用語： アニール ,  PVD ,  結晶性 ,  電気的特性

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： H2S ,  アニール ,  PVD ,  薄膜 ,  膜質