文献

J-GLOBAL ID：202502245012756116   整理番号：25A1334082

直列接続されたパワー半導体素子のゲート磁気結合駆動におけるDG間コンデンサの効果

Effect of Capacitor between Drain and Gate Terminals on Gate Magnetic Coupling Drive for Series-connected Power Semiconductor Devices

著者 (5件)： 浦壁隆浩 (東京工業大学) ,  石井一輝 (東京工業大学) ,  萩原誠 (東京工業大学) ,  檜垣優介 (三菱電機(株)先端技術総合研究所) ,  糸川祐樹 (三菱電機(株)先端技術総合研究所)
資料名： 電気学会論文誌 D  (IEEJ Transactions on Industry Applications)
巻： 145  号： 4  ページ： 287-297(J-STAGE)  発行年： 2025年 
JST資料番号： X0451A  ISSN： 0913-6339  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 本研究では,直列接続されたパワー半導体デバイスを実験的に検証し,ゲート磁気結合方式とドレイン-ゲート端子間にコンデンサを追加する方式とを併用した時のスイッチング動作時に起こる電圧の偏りを定量化する。3.3kV/750A SiC-MOSFET/SiC-SBDパワーモジュールを用いた実験により,従来の方式,磁気結合方式,コンデンサ追加方式,および2方式を併用した方式に対して,ゲート信号伝送とゲート駆動電圧の差異に起因する電圧の偏りを評価した。2方式の併は,これらの条件下で電圧の偏りを最小にする。さらに,静電容量とスイッチング損失との関係を明らかにする。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *直列接続 ,  *MOSFET ,  炭化ケイ素 ,  *ゲート回路 ,  *磁気結合 ,  動作 ,  スイッチング素子 ,  ドレイン【半導体】 ,  ゲート【半導体】 ,  コンデンサ ,  *Schottky障壁ダイオード ,  静電容量 ,  スイッチング損失 ,  電圧変動
準シソーラス用語： *SiC MOSFET ,  ゲート駆動回路 ,  *ゲート磁気結合 ,  *スイッチング動作 ,  電圧偏移

著者キーワード (8件)： パワー半導体素子直列接続 ,  ゲート駆動回路 ,  ゲート磁気結合方式 ,  スイッチング動作 ,  series connection for semiconductors ,  gate drive circuit ,  gate magnetic coupling technique ,  switching operation

分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  ダイオード  (NC03050R) ,  電源回路  (NC05060Q)

引用文献 (18件)：

• (1) C. Hu: “Optimal Doping Profile for Minimum Ohmic Resistance and High-Breakdown Voltage”, IEEE Trans. on Electron Devices, Vol. ED-26, No. 3 (1979)
• (2) M. Schweizer and T. B. Soeiro: “Heatsink-less Quasi 3-level flying capacitor inverter based on low voltage SMD MOSFETs”, EPE'17 ECCE Europe, pp. 1-10 (2017)
• (3) P. R. Palmer and A. N. Githiari: “The series connection of IGBT's with active voltage sharing”, IEEE Trans. Power Electron., Vol. 12, No. 4, pp. 637-644 (1997)
• (4) S. Hong, V. Chitta, and D. A. Torrey: “Series connection of IGBT's with active voltage balancing”, IEEE Trans. Ind. Appli., Vol. 35, No. 4, pp. 917-923 (1999)
• (5) I. Baraia, J. A. Barrena, G. Abad, J. M. C. Segade, and U. Iraola: “An experimentally verified active gate control method for the series connection of IGBT/diodes”, IEEE Trans. Power Electron., Vol. 27, No. 2, pp. 1025-1038 (2012)

タイトルに関連する用語 (7件)： 直列接続 ,  パワー ,  半導体素子 ,  ゲート ,  磁気結合 ,  dG ,  コンデンサ